申请/专利权人:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请日:2023-10-26
公开(公告)日:2024-01-19
公开(公告)号:CN117418301A
主分类号:C30B15/20
分类号:C30B15/20;C30B27/02;C30B29/06
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开
摘要:本发明提供一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法及单晶晶棒,涉及单晶硅拉晶技术领域,在拉晶过程中,控制晶棒的拉速为预定拉速,进而建立温度梯度近似为1的热环境,使得晶棒在拉制过程中COP缺陷不易产生,进而降低晶棒中点缺陷。
主权项:1.一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法,其特征在于:在拉晶过程中,控制晶棒的拉速为预定拉速,以降低COP缺陷。
全文数据:
权利要求:
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