申请/专利权人：芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117594572A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66;G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.12#实质审查的生效;2024.02.23#公开

摘要：本发明提供一种WAT测试结构。所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中，多个半导体材料层包括测试层以及位于测试层上的连接层；WAT测试结构包括第一测试单元；第一测试单元包括位于测试层中的第一电阻条以及位于连接层中的第二电阻条和第三电阻条；第二电阻条与第一电阻条的一端连接，第三电阻条与第一电阻条的另一端连接；第二电阻条和第三电阻条的长度与横截面积的比值均小于第一电阻条的长度与横截面积的比值；测试层中具有功能掺杂区，第一电阻条和测试层的功能掺杂区在同一工艺中形成；通过检测第一测试单元的阻值可以监控测试层的功能掺杂区，实现单一半导体材料层中功能掺杂区的工艺稳定性的监控。

主权项：1.一种WAT测试结构，其特征在于，所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中，多个所述半导体材料层包括测试层以及位于所述测试层上的连接层；所述WAT测试结构包括第一测试单元；所述第一测试单元包括位于所述测试层中的第一电阻条以及位于所述连接层中的第二电阻条和第三电阻条；所述第二电阻条与所述第一电阻条的一端连接，所述第三电阻条与所述第一电阻条的另一端连接；所述第二电阻条和所述第三电阻条的长度与横截面积的比值均小于所述第一电阻条的长度与横截面积的比值；所述测试层中具有功能掺杂区，所述第一电阻条和所述测试层的功能掺杂区在同一工艺中形成；通过检测所述第一测试单元的阻值以监控所述测试层的功能掺杂区，若所述第一测试单元的阻值在第一设定阈值范围内，判断所述测试层的功能掺杂区无异常。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 WAT测试结构

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