申请/专利权人：华引芯(武汉)科技有限公司

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-03-01

公开（公告）号：CN117219715B

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/00;H01L25/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.01#授权;2023.12.29#实质审查的生效;2023.12.12#公开

摘要：本发明提供一种MicroLED矩阵光源的制备方法，方法步骤包括：刻蚀外延片，并在穿透至P型半导体层和量子阱层后停止；在相邻的LED像素芯粒之间的沟道层填充防光串扰层；对芯片进行衬底剥离，并在裸露出的N型半导体层上制作N型欧姆接触层。在本发明提供的技术方案中，将防光串扰层的制作改在外延片键合集成到驱动背板之前，避免了键合后蚀刻工艺对驱动背板及LED器件的损伤，降低了工艺难度及成本；并在N型半导体层上制作一层透明金属网格的欧姆接触层，以提升N型半导体层的电流传导效率。此外，将芯片改为共N电极结构，可极大减少LED器件与驱动背板器件上N电极数量，减少电极面积占比，降低键合P、N电极对位的工艺难度。

主权项：1.一种MicroLED矩阵光源的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层以形成外延片；刻蚀外延片，并在穿透至P型半导体层和量子阱层后停止；对外延片进行电流扩展层加工和钝化层加工；在外延片键合集成到驱动背板前，在相邻的LED像素芯粒之间的沟道层填充防光串扰层；将芯片与驱动背板进行混合共晶键合；对芯片进行衬底剥离，并在裸露出的所述N型半导体层上制作具有金属网格的N型欧姆接触层；对芯片进行薄膜封装和模组封装。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华引芯(武汉)科技有限公司 一种MicroLED矩阵光源的制备方法及MicroLED矩阵光源

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