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【发明授权】一种亮度可调的MicroLED及其制备方法_盐城鸿石智能科技有限公司_202311536660.7 

申请/专利权人:盐城鸿石智能科技有限公司

申请日:2023-11-17

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117253902B

主分类号:H01L27/15

分类号:H01L27/15;H01L33/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.01.05#实质审查的生效;2023.12.19#公开

摘要:本发明涉及显示芯片技术领域,公开了一种亮度可调的MicroLED及其制备方法,亮度可调的MicroLED包括驱动基板,驱动基板表面设有若干发光单元,发光单元包括键合金属层,键合金属层上方设有外延层,外延层剖面结构为梯形,键合金属层和外延层表面覆盖钝化层,钝化层顶面开口以控制外延层出光方向,钝化层外壁沉积反光层,反光层外壁沉积光电转换层,发光单元之间设有流平层,流平层顶部设有N电极层。本发明通过在MicroLED发光单元反光层上沉积光电转换层,光电转换层环绕发光单元,通过光电转换层吸收侧壁漏光产生电流并根据电流调整向LED提供的数据信号强弱,提高显示画面亮度均匀性。

主权项:1.一种亮度可调的MicroLED,其特征在于,包括驱动基板,所述驱动基板表面设有若干发光单元,所述发光单元包括键合金属层,所述键合金属层上方设有外延层,所述外延层剖面结构为梯形,所述键合金属层和外延层表面覆盖钝化层,所述钝化层顶面开口以控制外延层出光方向,所述钝化层外壁沉积反光层,所述反光层外壁沉积光电转换层,所述发光单元之间设有流平层,所述流平层顶部设有N电极层,所述光电转换层顶部与N电极层相连组成共阴极结构,光电转换层底部通过金属触点连接P电极形成内部回路,光电转换层吸收侧壁漏光产生电流,电流经内部回路进入漏流检测模块,漏流检测模块向电源IC反馈电流均匀性情况,电源IC调整向LED提供的数据信号强弱。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 盐城鸿石智能科技有限公司 一种亮度可调的MicroLED及其制备方法

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