申请/专利权人：四川启睿克科技有限公司;四川长虹电子控股集团有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117693216A

主分类号：H10K50/115

分类号：H10K50/115;H10K50/85;H10K50/856;H10K50/818;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及显示领域，为了提高量子点光提取效率及准直效果，提供了MicroLED表面结构及制备方法，通过在Micro‑LED芯片表面构造金属纳米环结构，当纳米环结构参数与中心量子点光波长相匹配时，会产生强烈的准直效应，可实现发出光线的定向准直功能；底部金属反射器收集量子点光源向下发出的光线，并反射至芯片发光方向，增加了发光方向的光子数，从而大大增加了量子点Micro‑LED芯片在垂直方向上的光提取效率。

主权项：1.MicroLED表面结构，包括基板及量子点光源，其特征在于，还包括：从下往上依次设置在基板上的底部金属阳极反射器、空穴传输层、电子传输层、光电阴极及表面金属纳米环，所述电子传输层中设置有量子点材料放置空间，所述量子点光源设置在量子点材料放置空间且位于表面金属纳米环内，所述表面金属纳米环的内半径为量子点光源发出光线波长的n倍，环体宽度为量子点光源发出光线波长的m倍。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 四川启睿克科技有限公司;四川长虹电子控股集团有限公司 MicroLED表面结构及制备方法

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