申请/专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117660879A

主分类号：C23C14/06

分类号：C23C14/06;C23C14/10;C23C14/58;C23C16/50;C23C16/40;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，所述方法包括步骤：制备包括依次叠合的硅衬底、图形化AlN层、第一AlN层和第一SiO2层的第一外延片；制备包括依次叠合的蓝宝石衬底、GaN层、第二SiO2层的第二外延片；把第一SiO2层和第二SiO2层键合形成键合SiO2层，从而得到键合外延片；去除键合外延片的硅衬底；把键合外延片中的图形化AlN层去除；在第一AlN层远离键合SiO2层的一面生长第二AlN层；对键合外延片中的键合SiO2层进行剥离处理，以剥离出由第一AlN层和第二AlN层组成的AlN薄膜；从而能够得到大厚度高质量的AlN薄膜。

主权项：1.一种AlN薄膜制备方法，其特征在于，包括步骤：A1.制备包括依次叠合的硅衬底（10）、图形化AlN层（20）、第一AlN层（30）和第一SiO2层（40）的第一外延片（1）；A2.制备包括依次叠合的蓝宝石衬底（50）、GaN层（60）、第二SiO2层（70）的第二外延片（2）；A3.把所述第一SiO2层（40）和所述第二SiO2层（70）键合形成键合SiO2层（80），从而使所述第一外延片（1）和所述第二外延片（2）结合为键合外延片（3）；A4.通过湿法腐蚀去除所述键合外延片（3）的所述硅衬底（10）；A5.通过ICP刻蚀方法，把去除所述硅衬底（10）后的所述键合外延片（3）中的所述图形化AlN层（20）去除；A6.在第三温度和第三压力下，在所述第一AlN层（30）远离所述键合SiO2层（80）的一面生长第二AlN层（90）；A7.对生长所述第二AlN层（90）后的所述键合外延片（3）中的所述键合SiO2层（80）进行剥离处理，以剥离出由所述第一AlN层（30）和所述第二AlN层（90）组成的AlN薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州市艾佛光通科技有限公司 一种AlN薄膜及其制备方法和应用

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