申请/专利权人：苏州大学

申请日：2020-02-03

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN111162147B

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2020.06.09#实质审查的生效;2020.05.15#公开

摘要：本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该发明的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。

主权项：1.一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，其特征在于：包括GaN薄膜层1、AlN溅射层2、石墨烯层3和金属电极层，所述石墨烯层3位于AlN溅射层2上，所述AlN溅射层2包裹石墨烯层3，且位于GaN薄膜层1上，所述GaN薄膜层1位于金属电极层上，所述金属电极层包含金属层5和衬底6，所述金属层5镀于衬底6上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州大学 一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法

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