申请/专利权人：南昌航空大学

申请日：2023-03-02

公开（公告）日：2024-01-16

公开（公告）号：CN220358098U

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/06;H01L29/778

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.16#授权

摘要：本实用新型公开了一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件，器件包括：凹栅MIS双势垒层HEMT，所述凹栅MIS双势垒层HEMT包括蓝宝石衬底、3μmGaN缓冲层、400nmGaN沟道层、5nmAl0.18Ga0.82N薄势垒层、20nmAl0.28Ga0.72N势垒层、200nmSi3N4钝化层、源极、栅极及漏极，刻蚀掉20nmAl0.28Ga0.72N势垒层，栅极延伸下去，栅极周围淀积了一层1nm厚的Al2O3电介质层，起到减小栅极泄漏电流的作用。利用silvacoTCAD仿真凹栅MIS双势垒层HEMT，对比常规MISHEMT、Al0.28Ga0.72NTBL薄势垒层MISHEMT和Al0.18Ga0.82NTBLMIS双势垒层HEMT的直流特性，并且通过调节AlGaN势垒层刻蚀深度、栅长和电介质层Al2O3的厚度来调控器件的阈值电压，器件获得了+1V的阈值电压，实现了1.38Amm的漏极饱和电流，498mSmm的峰值跨导，表明优化后的器件获得了较好的直流特性，实现了从耗尽型到增强型的转变。

主权项：1.一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件，其特征在于，所述器件包括：凹栅MIS双势垒层HEMT，所述凹栅MIS双势垒层HEMT包括蓝宝石衬底、3μmGaN缓冲层、400nmGaN沟道层、5nmAl0.18Ga0.82N薄势垒层、20nmAl0.28Ga0.72N势垒层、200nmSi3N4钝化层、源极、栅极及漏极，金属栅极正下方刻蚀掉20nmAl0.28Ga0.72N势垒层，栅极延伸下去，栅极周围淀积了一层1nm厚的Al2O3电介质层，起到减小栅极泄漏电流的作用。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南昌航空大学 一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD