申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-01-12

公开（公告）号：CN117393581A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/205;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.30#实质审查的生效;2024.01.12#公开

摘要：本发明提供一种MIS晶体管，包括：GaN缓冲层；AlGaN势垒层，形成在GaN缓冲层表面，与GaN缓冲层构成形成AlGaNGaN异质结；其中，AlGaN势垒层与GaN缓冲层表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层，设置在二维电子沟道区域，其中，在MIS晶体管未增加栅极电压时，二维电子气层在二维电子沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层，形成在AlGaN势垒层表面，使二维电子气在二维电子沟道区域的第一范围外为电子积累状态。本发明通过AlGaN势垒层实现了电子的本征耗尽，通过AlN极化增强插入层来恢复电子积累状态，使得MIS晶体管实现了增强型，并具有、高性能、高稳定性和高均匀性。

主权项：1.一种MIS晶体管，其特征在于，包括：GaN缓冲层2；AlGaN势垒层3，形成在所述GaN缓冲层2表面，与所述GaN缓冲层2构成AlGaNGaN异质结；其中，所述AlGaN势垒层3与所述GaN缓冲层2表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层4，形成在所述二维电子气沟道区域，其中，在所述MIS晶体管未增加栅极电压时，所述二维电子气层4在所述二维电子气沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层5，形成在所述AlGaN势垒层3远离所述GaN缓冲层2的一侧表面，用于使所述二维电子气层4在所述二维电子气沟道区域的第一范围外为电子积累状态，所述AlN极化增强插入层5形成区域的边界与所述二维电子气沟道区域的边界相同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 MIS晶体管

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