申请/专利权人：扬州国宇电子有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2023-12-29

公开（公告）号：CN117316936A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01L23/522

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.01.16#实质审查的生效;2023.12.29#公开

摘要：本发明属于半导体器件技术领域，提供了一种三维纵横沟槽MIS芯片电容及制备方法，其中三维纵横沟槽MIS芯片电容包括P型硅衬底、薄氧层、HfO2层、氧化层、填充层、正面金属层、钝化层和背面金属层，P型硅衬底上形成有网状沟槽，网状沟槽可以获得更大的比表面积，具有更高的初始结电容；并在网状结构上形成薄氧层（SiO2）‑HfO2层‑氧化层（SiO2）结构，保证了低电容厚度并能提高电容值；填充层采用掺杂多晶硅之后淀积正面金属层，金属不易脱落，提高了MIS芯片电容的可靠性。

主权项：1.一种三维纵横沟槽MIS芯片电容，其特征在于，包括：P型硅衬底，所述P型硅衬底上形成有网状沟槽；薄氧层，设置于所述P型硅衬底上；HfO2层，设置于所述薄氧层上；氧化层，设置于所述HfO2层上；填充层，设置于所述氧化层上用以填充所述网状沟槽，所述填充层的边缘被去除形成第一窗口，所述填充层为掺杂多晶硅；正面金属层，设置于所述填充层上，所述正面金属层的边缘和所述填充层的边缘对齐；钝化层，设置于所述第一窗口及所述正面金属层上，所述钝化层的中心区域被去除形成第二窗口，使所述正面金属层暴露；背面金属层，设置于所述P型硅衬底的底部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州国宇电子有限公司 一种三维纵横沟槽MIS芯片电容及制备方法

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