申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-08-18

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN114078704B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2022.03.11#实质审查的生效;2022.02.22#公开

摘要：一种LDMOS器件及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区，所述阱区包括第一衬底和凸出于所述第一衬底的第一鳍部，所述漂移区包括第二衬底，所述第二衬底的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平；在所述第一鳍部露出的所述第一衬底上形成氧化层，所述氧化层的高度低于所述第一鳍部的高度。本发明实施例所提供的LDMOS器件的形成方法，在提高LDMOS器件可靠性能的同时不影响器件的RF性能。

主权项：1.一种LDMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区，所述阱区包括第一衬底和凸出于所述第一衬底的第一鳍部，所述漂移区包括第二衬底，所述第二衬底的顶面与所述第一鳍部的顶面齐平；在所述第一鳍部露出的所述第一衬底上形成氧化层，所述氧化层的高度低于所述第一鳍部的高度；其中，所述第二衬底上未形成有鳍部和所述氧化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 LDMOS器件及其形成方法

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