申请/专利权人：巢湖学院

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117693269A

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K71/40;H10K71/00;H10K10/46;B82Y10/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明公开了一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法，涉及有机光电子技术领域，包括以下步骤：准备好SiSiO2衬底；随后对衬底进行表面处理；再将苝酰亚胺超大单晶分散液滴于衬底表面；将干净的纸片盖于溶液表面，促进溶剂挥发和单晶均匀分散；随后对器件进行热处理，以使单晶与衬底表面有良好的接触；然后将器件送入蒸镀舱，蒸镀金电极，作为晶体管器件的源、漏电极；本发明制备工艺简单、不受固体表面特性和溶剂沸点的影响，可操控性强且重复率高，容易在稳定的环境中形成分子排列有序、结晶度高，内部缺陷少的超大单晶，更有利于后续器件的制备，其次本发明制备的苝酰亚胺超大单晶比表面积大，作为平面器件的活性层，电子传输能力更强。

主权项：1.一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、准备好SiSiO2衬底；随后对衬底进行表面处理；S2、再将苝酰亚胺超大单晶分散液滴于衬底表面；S3、将干净的纸片盖于溶液表面，促进溶剂挥发和单晶均匀分散；S4、随后对器件进行热处理，以使单晶与衬底表面有良好的接触；S5、然后将器件送入蒸镀舱，蒸镀金电极，作为晶体管器件的源、漏电极，从而得到单晶晶体管器件；所述单晶晶体管器件的结构从下到上由以下几个部分组成：采用Si作为器件的的栅极，同时作为整个器件的衬底，为器件提供栅压；采用SiO2作为器件的介电层，栅压通过介电层在半导体界面吸引电荷；采用PTCDI-C8作为器件的活性层，为器件提供导电通道；采用Au作为器件的源、漏电极，促进半导体中载流子的传输与收集。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 巢湖学院 一种基于苝酰亚胺制备超大单晶晶体管器件的方法

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