申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-07-25

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN112289353B

主分类号：G11C11/16

分类号：G11C11/16;G11C29/42;G06F11/10;G06F3/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.01.29#公开

摘要：本申请提供了一种优化的具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法，在使用ECC的情况下避免频繁读取整个内部字，包括寄存器、纠错电路和控制电路，控制电路包括读写操作模块、数据写回MRAM操作模块以及地址管理模块，当外界访问一个短字时，把对应的长字整体读至寄存器中，在寄存器区上进行短字的读写操作，如果之后周期外部字地址也能匹配此内部长字地址时，可以继续在寄存器区上进行读写操作，直至新的周期的外部字地址无法匹配，再进行寄存器写回MRAM，并读入相应的内部字地址的数据至寄存器，从而有效地减小读写MRAM所需功耗，另外还可以在同一个周期内实现一个完整的读写操作。

主权项：1.一种优化的具有ECC功能的MRAM系统，其包括寄存器、纠错电路和控制电路，其特征在于，所述控制电路包括读写操作模块、数据写回MRAM操作模块以及地址管理模块，所述地址管理模块存储地址并获取外部字地址，判断外部字地址与内部字地址是否匹配，所述数据写回MRAM操作模块在外部字地址与寄存器中内部字地址不匹配时触发数据写回MRAM操作，所述地址管理模块在数据写回MRAM操作后获取外部字地址作为新地址，所述读写操作模块在外部字地址与内部字地址匹配时，触发在寄存器上的读写操作；所述寄存器包括第一寄存器组、第二寄存器组、第三寄存器组、第四寄存器组、读写标志寄存器组和写回标志寄存器组，所述第一寄存器组用于存放读写时与外部交互的数据，所述第二寄存器组用于存放从MRAM中读取的数据，所述第三寄存器组用于存放内部字地址，所述第四寄存器组用于存放输入的外部字地址。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种优化的具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法

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