申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-07-20

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN113644060B

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H10B10/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.12#授权;2021.11.30#实质审查的生效;2021.11.12#公开

摘要：本发明提供一种用于调控SRAM性能的版图结构及方法，提供版图结构，其中栅极切割图形与N型传输管的有源区图形之间的纵向距离为10～40nm；调节栅极切割图形与N型传输管的有源区图形之间的纵向距离，得到包含不同的纵向距离的多个版图结构；利用得到的包含不同的纵向距离的多个版图结构进行CMOS工艺，完成器件制造，得到多个测试器件；利用多个测试器件分别进行WAT测试，提取传输管NPG的阈值电压、饱和电流参数。本发明通过版图调控栅极切割与有源区间的距离来调节MOSFET器件性能，改变各晶体管间的比例关系，进而达到控制SRAM性能的目的。本发明在不改变工艺流程的基础上可以单独调控器件性能包括阈值电压、饱和电流等，进而可以控制SRAM的性能，简单易行。

主权项：1.一种用于调控SRAM性能的版图结构，其特征在于，至少包括：纵向间隔排列的多个N型传输管的有源区图形；所述N型传输管的有源区图形的长度方向沿横向；沿横向间隔排列的多个栅极图形；所述多个栅极图形的长度方向沿纵向；所述多个栅极图形跨在所述多个N型传输管的有源区图形上；位于所述N型传输管的有源区图形之间的栅极切割图形；所述栅极切割图形横跨于相邻两个所述栅极图形上；所述栅极切割图形的长度方向沿所述横向；所述栅极切割图形与所述N型传输管的有源区图形之间的纵向距离为10～40nm；调节栅极切割图形与N型传输管的有源区图形之间的距离，来调控SRAM性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种用于调控SRAM性能的版图结构及方法

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