申请/专利权人：西安理工大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117702251A

主分类号：C30B15/20

分类号：C30B15/20;C30B29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了直拉硅单晶生长加热器参数优化方法，首先通过晶体生长原理建立热传导模型，并确定模型热边界条件；然后使用有限元法计算不同加热器位置下晶体生长不同阶段的固液界面温度分布；最后通过鲸鱼优化算法优化加热器位置，将有限元法计算结果作为优化算法的适应度值，得到晶体生长全过程最优的加热器位置，达到优化硅单晶生长热场、提高硅单晶品质的目的。本发明解决了现有技术中存在的加热器优化方案不考虑固液界面温度分布，以及仅对某一阶段单晶炉加热器位置进行优化的问题。

主权项：1.直拉硅单晶生长加热器参数优化方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、通过晶体生长原理建立热传导模型，并确定模型热边界条件；步骤2、使用有限元法计算不同加热器位置下晶体生长不同阶段的固液界面温度分布；步骤3、通过鲸鱼优化算法优化加热器位置，将有限元法计算结果作为优化算法的适应度值，得到晶体生长全过程最优的加热器位置，达到优化硅单晶生长热场、提高硅单晶品质的目的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安理工大学 直拉硅单晶生长加热器参数优化方法

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