申请/专利权人：陕西科技大学

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711945A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及全环绕栅场效应晶体管技术领域，特别是一种基于黑磷烯纳米带束的GAA器件及其制备方法，该GAA器件的制备包括以下步骤：提供衬底；在衬底表面形成多晶硅缓冲层，在多晶硅缓冲层表面沉积栅介电层；刻蚀栅介电层以形成纳米阵列，在纳米阵列的间隙中生长黑磷烯纳米带作为黑磷烯纳米带束沟道层；在黑磷烯纳米带周围沉积介电层；在介电层周围沉积栅电极，并平坦化栅电极表面；刻蚀黑磷烯纳米带束沟道层以形成源极区域及漏极区域，并在源极区域制作源极，在漏极区域制作漏极。本发明将黑磷烯纳米带束作为沟道材料应用于GAA器件中，黑磷烯纳米带束从形状上满足GAA器件结构需要，并且制备的GAA器件拥有更高的电子迁移率及优异热导性。

主权项：1.一种基于黑磷烯纳米带束的GAA器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底表面形成多晶硅缓冲层，在所述多晶硅缓冲层表面沉积栅介电层；刻蚀所述栅介电层以形成纳米阵列，在所述纳米阵列的间隙中生长黑磷烯纳米带作为黑磷烯纳米带束沟道层；在所述黑磷烯纳米带周围沉积介电层，在所述介电层周围沉积栅电极，并平坦化栅电极表面；刻蚀所述黑磷烯纳米带束沟道层以形成源极区域及漏极区域，并在所述源极区域制作源极，在所述漏极区域制作漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西科技大学 一种基于黑磷烯纳米带束的GAA器件及其制备方法

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