申请/专利权人：闽都创新实验室

申请日：2023-05-24

公开（公告）日：2023-09-12

公开（公告）号：CN116741803A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/336;H01L29/778;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.29#实质审查的生效;2023.09.12#公开

摘要：本发明涉及一种GAA构型的GaN基垂直结构HEMT器件及制备方法，该器件包括带有GaN微米柱的GaN衬底；GaN微米柱的侧面覆盖有GaN沟道层，GaN沟道层的侧面覆盖有AlGaN势垒层；漏金属电极覆盖部分GaN衬底，形成漏极，漏极与GaN沟道层、AlGaN势垒层接触；沉积源覆盖GaN微米柱、GaN沟道层和AlGaN势垒层的上表面，形成源级；介质层覆盖在漏极上方，包裹AlGaN势垒层、源级的侧面，形成环形介质层，介质层与源级形成欧姆接触；栅极包裹介质层，形成环形栅极。本发明充分利用了垂直结构高耐压与二维电子气高速大电流传输能力：二维电子气通过所述源漏极垂直传输；GAA构型显著降低开关电压，提升开关速度，降低泄露电流；源极、漏极和栅极处于三个不同平面，有利于进一步提升器件工作电压。

主权项：1.一种GAA构型的GaN基垂直结构HEMT器件，其特征在于，包括带有GaN微米柱的GaN衬底1；所述GaN微米柱的侧面覆盖有GaN沟道层2，所述GaN沟道层2的侧面覆盖有AlGaN势垒层3；漏金属电极覆盖部分所述GaN衬底1，形成漏极4，所述漏极4与所述GaN沟道层2、所述AlGaN势垒层3接触；沉积源覆盖所述GaN微米柱、GaN沟道层2和AlGaN势垒层3的上表面，形成源级7；介质层5覆盖在所述漏极4上方，包裹所述AlGaN势垒层3、所述源级7的侧面，形成环形介质层，所述介质层5与所述源级7形成欧姆接触；栅极6包裹所述介质层5，形成环形栅极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 闽都创新实验室 GAA构型的GaN基垂直结构HEMT器件及制备方法

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