申请/专利权人：英特尔公司

申请日：2022-11-03

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117597778A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092

优先权：["20211216 US 17/553,397"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：一种集成电路结构包括衬底、位于衬底的第一区段上方的第一器件以及位于衬底的第二区段上方的第二器件。第一器件包括第一源极区和第一漏极区以及在第一源极区和第一漏极区之间横向延伸的第一主体。在示例中，第一主体包括具有通过密勒指数100描述的晶体取向的硅。第二器件包括第二源极区和第二漏极区，以及在第二源极区和第二漏极区之间横向延伸的第二主体。在示例中，第二主体包括具有通过密勒指数110描述的晶体取向的硅。

主权项：1.一种集成电路结构，包括：衬底；位于所述衬底的第一区段上方的第一器件，所述第一器件包括：第一源极区和第一漏极区，以及在所述第一源极区和所述第一漏极区之间横向延伸的第一主体，所述第一主体包括具有通过密勒指数100描述的晶体取向的硅；以及位于所述衬底的第二区段上方的第二器件，所述第二器件包括：第二源极区和第二漏极区，以及在所述第二源极区和所述第二漏极区之间横向延伸的第二主体，所述第二主体包括具有通过密勒指数110描述的晶体取向的硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英特尔公司 用于栅极全环绕（GAA）晶体管结构的混合沟道区

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