申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-08-30

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN113725151B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.15#授权;2021.12.17#实质审查的生效;2021.11.30#公开

摘要：本发明提供了一种互连结构的形成方法，包括：提供一SOI衬底，SOI包括中间区以及包围中间区的边缘区，中间区包括依次层叠的基底、埋层及硅层，边缘区仅具有基底；于硅层中形成器件层；形成隔离介质层，并于隔离介质层中形成至少一第一开口；形成层间介质层，层间介质层覆盖隔离介质层以及第一开口；形成至少一第一通孔，第一通孔贯穿层间介质层、部分第一开口以及埋层，以暴露基底；于第一通孔中形成第一互连结构。本发明中，通过在形成器件层以及形成隔离介质层之后，仅仅蚀刻隔离介质层并在隔离介质层中形成第一开口用于形成后续的第一通孔，从而极大减少对边缘区的衬底的蚀刻，进而解决边缘区内平坦度较差以及边缘区与中间区有较大台阶差的问题。

主权项：1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一SOI衬底，所述SOI包括中间区以及包围所述中间区的边缘区，所述中间区包括依次层叠的基底、埋层及硅层，所述边缘区仅具有所述基底；于所述硅层中形成器件层，所述器件层包括若干器件区以及环绕所述器件区的非器件区；形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖所述器件层，并于所述隔离介质层中形成至少一第一开口暴露所述非器件区，及同时于所述隔离介质层中形成至少一第二开口暴露所述器件区；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述隔离介质层、所述第一开口及所述第二开口；形成至少一第一通孔，所述第一通孔贯穿所述层间介质层、部分所述第一开口以及所述埋层以暴露所述基底，及同时形成至少一第二通孔，所述第二通孔贯穿所述层间介质层及至少部分所述第二开口以暴露所述器件区；于所述第一通孔中形成第一互连结构电连接所述基底，及于所述第二通孔中形成第二互连结构电连接所述器件区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 互连结构的形成方法

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