申请/专利权人：万国半导体国际有限合伙公司

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727730A

主分类号：H01L23/495

分类号：H01L23/495;H01L23/31

优先权：["20220916 US 17/946,992"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：一种半导体封装，包括一个引线框架、一个低侧场效应晶体管FET、一个高侧FET、一个金属夹和一个模制封装。低侧FET被翻转并且被附接到引线框架的第一芯片焊盘。引线框架包括一根或多根电压输入Vin引线；栅极引线；一根或多根开关节点Lx引线；第一芯片焊盘；第二芯片焊盘；和一个末端焊盘。所述一根或多根Lx引线中的每一根暴露的底表面都直接连接到所述端桨的暴露的底部表面。栅极引线的暴露的底表面的纵向方向垂直于一根或多根Lx引线的暴露底表面中的每一个的纵向方向。所述一根或多根Vin引线中的每一根引线的整体都具有全厚度。

主权项：1.一种半导体封装，其特征在于，包括：一个引线框包括：一个或多个电压输入Vin引线；一根栅极引线；一根或多根开关节点Lx引线；一个第一芯片焊盘；一个第二芯片焊盘；以及一个末端焊盘；一个低侧场效应晶体管FET，其被翻转并附接到所述第一芯片焊盘，所述低侧FET包括在所述低侧FET的顶表面上的源极电极和栅极电极以及在所述低侧FET的底表面上的漏极电极；一个连接到所述第二芯片焊盘的高侧FET，所述高侧FET包括在所述高侧FET的顶表面上的源极电极和栅极电极以及在所述高侧FET底表面上的漏极电极；一个金属夹，所述金属夹将所述低侧FET的漏极电极和所述高侧FET的源极电极连接到所述引线框的所述末端焊盘；以及一个模制封装，所述模制封装包围所述低侧FET、所述高侧FET，所述金属夹和所述引线框的大部分；其中所述一个或多个Vin引线、栅极引线、一个或更多个Lx引线、第一芯片焊盘、第二芯片焊盘和端部焊盘的每个底表面从模制封装暴露；并且其中所述半导体封装为矩形棱柱形状，包括：一个第一边缘；以及一个垂直于第一边缘的第二边缘；其中所述一根或多根Lx引线中的每一根暴露的底表面都直接延伸到所述第一边缘；并且其中所述栅极引线的暴露的底表面直接延伸到所述第二边缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 万国半导体国际有限合伙公司 具有减小的寄生电感的半导体封装

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