申请/专利权人：复旦大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727796A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/788;H01L29/06;H01L29/24;H01L21/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开一种新型同源神经形态器件及其制备方法。该器件包括：柔性衬底；背部栅电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；阻挡层，其为高k材料薄膜，形成在所述背部栅电极上；同源电荷俘获层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述阻挡层上；浮栅过渡层，其为高导电二维材料，形成在所述阻挡层上，一端搭接在所述同源电荷俘获层；电荷隧穿层，其为二维绝缘层材料，覆盖所述同源电荷俘获层，一端与所述浮栅过渡层相接触；同源沟道层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述电荷隧穿层上；源端电极和漏端电极形成在所述同源沟道层两端，以及浮栅电极，形成在所述浮栅过渡层一端，实现神经形态功能与特性。

主权项：1.一种新型同源神经形态器件，其特征在于，包括：柔性衬底；背部栅电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；阻挡层，其为高k材料薄膜，形成在所述背部栅电极上；同源电荷俘获层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述阻挡层上；浮栅过渡层，其为高导电二维材料，形成在所述阻挡层上，一端搭接在所述同源电荷俘获层；电荷隧穿层，其为二维绝缘层材料，覆盖所述同源电荷俘获层，一端与所述浮栅过渡层相接触；同源沟道层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述电荷隧穿层上；源端电极和漏端电极形成在所述同源沟道层两端，以及浮栅电极，形成在所述浮栅过渡层一端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 一种新型同源神经形态器件及其制备方法

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