申请/专利权人：苏州烯晶半导体科技有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117729781A

主分类号：H10K10/46

分类号：H10K10/46;H10K10/88;H10K85/20;H10K71/00;H10K71/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法，属于场效应晶体管极性调控技术领域，该方法包括：提供一衬底；在衬底上沉积碳纳米管层；在碳纳米管层上形成极性调控层；对碳纳米管层、碳纳米管层及其上方的极性调控层或碳纳米管层及其下方的部分衬底进行刻蚀，形成源极接触区和漏极接触区，并形成源极和漏极；完成后续碳纳米管场效应晶体管的制备；对制备完成的碳纳米管场效应晶体管进行退火处理。本申请提供的方法，通过在碳纳米管层上覆盖电介质层或钝化层作为极性调控层，并对制备完成的碳纳米管场效应晶体管进行退火处理，从而实现碳纳米管场效应晶体管的极性调控，可解决调控场效应晶体管的极性时，场效应晶体管性能不稳定的问题。

主权项：1.一种调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积碳纳米管层；在所述碳纳米管层上形成极性调控层；对所述碳纳米管层进行刻蚀，或对所述碳纳米管层及其上方的极性调控层进行刻蚀，或所述碳纳米管层及其下方的部分衬底进行刻蚀，形成源极接触区和漏极接触区，并在所述源极接触区沉积金属形成源极，在所述漏极接触区沉积金属形成漏极；完成后续碳纳米管场效应晶体管的制备；对制备完成的碳纳米管场效应晶体管进行退火处理，实现碳纳米管场效应晶体管极性的转变。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州烯晶半导体科技有限公司 调控碳纳米管场效应晶体管极性的方法

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