申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2023-12-26
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN117727632A
主分类号:H01L21/336
分类号:H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开
摘要:本发明涉及一种晶体管的制备方法及晶体管,属于半导体技术领域,解决了现有技术中薄膜晶体管在高密度、高集成度应用中出现的阈值电压漂移问题。该晶体管的制备方法包括如下步骤:依次形成薄膜晶体管的背栅、栅极绝缘层、沟道层和电极层;所述电极层包括源极和漏极;在所述沟道层上形成金属层;氧化所述金属层形成第一介质层,其中所述沟道层中的载流子随着所述金属层的氧化而被调节;以及通过沉积技术在所述第一介质层上依次形成沟道钝化层和顶栅。
主权项:1.一种晶体管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:依次形成薄膜晶体管的背栅、栅极绝缘层、沟道层和电极层;所述电极层包括源极和漏极;在所述沟道层上形成金属层;氧化所述金属层形成第一介质层,其中所述沟道层中的载流子随着所述金属层的氧化而被调节;以及通过沉积技术在所述第一介质层上依次形成沟道钝化层和顶栅。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院微电子研究所 一种晶体管的制备方法及晶体管
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