申请/专利权人：立芯精密智造(昆山)有限公司

申请日：2024-02-07

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727694A

主分类号：H01L21/78

分类号：H01L21/78;H01L21/304;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请涉及一种晶圆切割方法，包括：在衬底背离芯片的一侧粘贴背膜，得到待切割件；对待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道，第一切割道包括第一横向切割道和第一纵向切割道，进行一次切割，得到W个放大网格区，N≥2，W≥4；对放大网格区按照单颗目标芯片的尺寸划分第二切割道，第二切割道包括第二横向切割道和第二纵向切割道，进行二次切割，得到目标芯片。通过一次切割过程中释放部分应力，并得到均匀分布的放大网格区，可提高切割稳定性，再进行二次切割，可有效降低胶膜张力，避免背面崩角或背面隐裂等缺陷，从而提高芯片的机械强度，保证芯片的电气性能和可靠性。

主权项：1.一种晶圆切割方法，所述晶圆（100）包括衬底（1）及阵列设置在所述衬底（1）上的若干芯片单元（2），其特征在于，所述晶圆切割方法包括：在所述衬底（1）背离所述芯片单元（2）的一侧粘贴背膜（10），得到待切割件；对所述待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道（20），所述第一切割道（20）包括纵横交错的第一横向切割道（21）和第一纵向切割道（22），进行一次切割，得到W个放大网格区（40），其中，放大倍数N≥2，所述放大网格区的数量W≥4；对所述放大网格区（40）按照单颗目标芯片的尺寸划分第二切割道（30），所述第二切割道（30）包括纵横交错的第二横向切割道（31）和第二纵向切割道（32），进行二次切割，得到目标芯片；所述第一切割道（20）和所述第二切割道（30）的长度相等，所述第一切割道（20）和所述第二切割道（30）的每一边具有超出所述衬底（1）并向所述背膜（10）延伸的单边刀痕延伸长度H，所述放大倍数N满足：N≤HmaxA，其中，Hmax为所述背膜（10）上的最大单边刀痕延伸长度，A为所述目标芯片的边长。

全文数据：

权利要求：

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