申请/专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117721521A

主分类号：C30B15/14

分类号：C30B15/14;C30B15/20;C30B15/30;C30B15/10;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的热场及生长方法，所述设备包括保温硬毡、石英筒保温层、籽晶吊杆、保温软毡、坩埚、线圈移动装置、感应线圈、石墨籽晶托、牵动台、不锈钢托盘、坩埚旋转装置、石墨环、籽晶升降旋转装置。本发明的生长方法将硅和助溶剂置于坩埚中加热形成高温下具有一定碳溶解度的助溶液，将籽晶下降至溶液表面处提拉碳化硅晶体，液面位于线圈中心以提高籽晶下方温度和碳饱和度，生长过程中通过调整线圈高度控制液面位始终位于线圈中心处。本发明可使碳化硅晶体生长过程中籽晶下方液面碳饱和度保持较高水平，提高热场稳定性，从而提高大尺寸碳化硅单晶质量，增加晶体生长速度，解决现有的技术问题。

主权项：1.一种溶液法生长碳化硅单晶的热场，其特征在于，包括：保温硬毡、石英筒保温层、籽晶吊杆、保温软毡、坩埚、线圈移动装置、感应线圈、石墨籽晶托、牵动台、不锈钢托盘、坩埚旋转装置、石墨环、籽晶升降旋转装置；所述籽晶吊杆的下端连接所述石墨籽晶托，所述石墨籽晶托的下端固定有碳化硅籽晶，所述籽晶吊杆的上端连接所述籽晶升降旋转装置，以实现所述碳化硅籽晶的升降移动和旋转功能；所述保温硬毡设有上部保温硬毡、下部保温硬毡，且所述保温硬毡的外侧设有保温软毡和石英筒保温层，所述石英筒保温层的外侧设有感应线圈，所述石英筒保温层用于固定所述保温硬毡和所述保温软毡，并阻止所述保温软毡接触所述感应线圈；所述感应线圈连接所述线圈移动装置，所述线圈移动装置的下方固定在所述牵动台上，以实现所述感应线圈的升降调节；所述坩埚放置于所述下部保温硬毡的空位内，用于放置原料；所述坩埚设有坩埚盖子，所述坩埚盖子设置有允许所述籽晶吊杆和所述石墨籽晶托通过的孔径；所述下部保温硬毡置于所述不锈钢托盘上，所述不锈钢托盘的下端连接所述坩埚旋转装置，以实现所述坩埚的旋转功能；所述坩埚的底部设有石墨环，所述石墨环的中心带孔，用于增加轴向温度梯度。

全文数据：

权利要求：

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