申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117718820A

主分类号：B24B7/22

分类号：B24B7/22;B24B55/06;B24B49/10;B24B49/00;B24B41/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请提供一种半导体材料研磨后清洁工序监测方法，由于清洁件是接触于半导体材料的表面，而且通过擦拭半导体材料的表面起到清除微粒的作用，因此清洁力的强弱是由清洁件与半导体材料的接触压力决定。清洁件与半导体材料的接触压力越大，则清洁件与半导体材料之间的动摩擦力也会越大动摩擦力与正向压力成正比。清洁件与半导体材料之间的动摩擦力会反应在使清洁件旋转的电机的扭矩，因此只要监测扭矩就可以得到清洁件与半导体材料的接触状态。由于电机的扭矩与流过电机的定子或转子线圈的电流成正比，因此通过测量驱动电机的电流就可以得到电机的扭矩，从而得到清洁件与半导体材料之间的接触状态。

主权项：1.一种晶圆清洁方法，应用于半导体清洁设备，所述半导体清洁设备对晶圆研磨后进行清洁工序，所述半导体清洁设备包括移动机构、设置于所述移动机构的安装支架、与所述安装支架相对设置的旋转台、设置于所述旋转台的清洁件和驱动所述旋转台转动的电机，所述晶圆设置在所述安装支架，所述清洁件接触所述晶圆进行清洁，其特征在于,包括:所述电机驱动所述旋转台转动，且所述移动机构驱动所述安装支架移动至起始位置；测量所述电机的驱动电流而得到第一电流数据I1；所述移动机构驱动所述安装支架从所述起始位置往所述旋转台移动，且监测所述电机的驱动电流而得到第二电流数据I2；比较所述第一电流数据I1和所述第二电流数据I2，若第一电流数据I1与第二电流数据I2的差除以第一电流数据I1大于第一差值δ1，则判定所述晶圆到达与清洁件接触的接触位置；所述移动机构使所述安装支架从所述接触位置继续往所述旋转台移动既定距离d使所述晶圆到达最佳清洁位置；所述晶圆在所述最佳清洁位置在单位清洁时间内实施所述清洁工序。

全文数据：

权利要求：

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