申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727625A

主分类号：H01L21/311

分类号：H01L21/311;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法。一种晶体管中鳍的制作方法，其包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。本发明能够降低Fin粗糙度和界面态密度，从而可以提升器件性能。

主权项：1.一种晶体管中鳍的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上外延半导体层；利用侧墙转移技术将所述半导体层刻蚀成鳍状部；用臭氧氧化所述鳍状部的侧壁，在侧壁形成氧化膜；利用原子层刻蚀法刻蚀去除所述氧化膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种晶体管中鳍及鳍式场效应晶体管的制作方法

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