申请/专利权人：西门子股份公司

申请日：2022-06-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730412A

主分类号：H01L23/49

分类号：H01L23/49;H01L25/07

优先权：["20210713 EP 21185247.0"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及一种具有半导体元件4、基底6和接合连接器20a，20b，20c，34，58的半导体装置2。为了与现有技术相比实现改善的接线而提出：半导体元件4尤其整体接合地与基底6连接，半导体元件4在背离基底6的一侧上具有至少一个接触面8，半导体元件4的至少一个接触面8经由至少一个第一接合连接器20a，20b，20c与基底6连接，至少一个第一接合连接器20a，20b，20c在接触面8上分别形成至少一个第一缝合接触部22a，22b，22c，第一缝合接触部布置在相应的第一接合连接器20a，20b，20c的第一环路24a，24b，24c与第二环路26a，26b，26c之间，第一环路24a，24b，24c具有第一最大部28a，28b，28c并且第二环路26a，26b，26c具有第二最大部30a，30b，30c，第二接合连接器34的第一横向环路32布置成在第一缝合接触部22a，22b，22c之上延伸并且平行于接触面8地看布置在第一环路24a，24b，24c的第一最大部28a，28b，28c与第二环路26a，26b，26c的第二最大部30a，30b，30c之间，第二接合连接器34的第一横向环路32布置成尤其完全地在第一环路24a，24b，24c的第一最大部28a，28b，28c和或第二环路26a，26b，26c的第二最大部30a，30b，30c之下延伸。

主权项：1.一种半导体装置2，具有半导体元件4、基底6和接合连接器20a，20b，20c，34，58，其中，所述半导体元件4与所述基底6连接，尤其整体接合地连接，其中，所述半导体元件4在背离所述基底6的侧上具有至少一个接触面8，其中，所述半导体元件4的至少一个所述接触面8经由至少一个第一接合连接器20a，20b，20c与所述基底6连接，其中，至少一个所述第一接合连接器20a，20b，20c在所述接触面8上分别形成至少一个第一缝合接触部22a，22b，22c，所述第一缝合接触部布置在相应的所述第一接合连接器20a，20b，20c的第一环路24a，24b，24c和第二环路26a，26b，26c之间，其中，所述第一环路24a，24b，24c具有第一最大部28a，28b，28c并且所述第二环路26a，26b，26c具有第二最大部30a，30b，30c，其中，第二接合连接器34的第一横向环路32布置成在所述第一缝合接触部22a，22b，22c之上延伸并且平行于所述接触面8延伸地看布置在所述第一环路24a，24b，24c的所述第一最大部28a，28b，28c与所述第二环路26a，26b，26c的所述第二最大部30a，30b，30c之间，其中，所述第二接合连接器34的所述第一横向环路32布置成尤其完全地在所述第一环路24a，24b，24c的所述第一最大部28a，28b，28c和或所述第二环路26a，26b，26c的所述第二最大部30a，30b，30c之下延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西门子股份公司 带半导体元件、基底和连接器的半导体装置及其制造方法

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