申请/专利权人:许昌学院
申请日:2022-02-28
公开(公告)日:2024-03-19
公开(公告)号:CN114560886B
主分类号:C07F7/10
分类号:C07F7/10;C23C16/18;C23C16/455
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.19#授权;2022.06.17#实质审查的生效;2022.05.31#公开
摘要:本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基NiII化合物,属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式I所示的氨基吡啶基NiII化合物,该化合物可以用作化学气相沉积CVD原子层沉积ALD的前驱体,通过CVDALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基NiII化合物的方法简便,条件温和,大大降低了前驱体材料的合成成本;并且有较好的溶解性,良好的挥发性和热稳定性,良好的成膜性能,可形成良好的CVDNi薄膜。
主权项:1.具有通式I所示结构的CVDALD前驱体氨基吡啶基NiII化合物: 其中,R为-SiR13;R1为C1-C6烷基。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 许昌学院 一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物
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