申请/专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院

申请日：2022-05-17

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115202088B

主分类号：G02F1/1333

分类号：G02F1/1333;G02F1/1343;H01Q15/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要：本发明提供了一种相位可调谐自旋太赫兹源器件及其制备方法和应用。本发明的相位可调谐自旋太赫兹源器件的制备方法，包括如下步骤：S1：在第一衬底上制作自旋薄膜；S2：在第二衬底上制作超材料金属结构；S3：分别在自旋薄膜和超材料金属结构表面旋涂液晶取向剂并干燥，随后采用紫外光照射对自旋源上电极和超材料下电极进行预取向；S4：将自旋源上电极和超材料下电极相对放置并制盒，随后灌注液晶，制得相位可调谐自旋太赫兹源器件。本发明的制备方法工艺简单，稳定性高，易于集成并实现规模化生产，能够大大降低生产成本，在偏振调控、全息成像、波束偏转、波束扫描、光束聚焦等方面具有重要的应用价值。

主权项：1.一种相位可调谐自旋太赫兹源器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在第一衬底上制作自旋薄膜，自旋薄膜材料选自能够进行自旋太赫兹发射的异质结构材料体系；S2：在第二衬底上制作超材料金属结构，超材料金属结构选自线形、十字形、渔网形、矩形环和开口谐振环结构中的一种或多种组合；S3：分别在自旋薄膜和超材料金属结构表面旋涂液晶取向剂并干燥，随后采用紫外光照射对自旋源上电极和超材料下电极进行预取向；S4：将自旋源上电极和超材料下电极相对放置并制盒，随后灌注液晶，液晶双折射特性根据其种类进行调整，制得相位可调谐自旋太赫兹源器件；其中，自旋薄膜材料选自铁磁材料非铁磁材料异质结，其中包含金属材料、拓扑材料、二维材料中的一种或几种；飞秒激光沿Z轴穿过自旋太赫兹源并辐射太赫兹脉冲，当太赫兹脉冲穿过液晶和超材料时，由于液晶的双折射和超材料的共振特性而发生相位累积，太赫兹脉冲的偏振态和手性通过器件旋转角度β调制器件的P-B相位来控制，改变器件旋转角度β使太赫兹偏振态在不同手性CP、EP和LP之间实现宽带转换。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京航空航天大学杭州创新研究院 一种相位可调谐自旋太赫兹源器件及其制备方法和应用

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