申请/专利权人：华东师范大学

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747665A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/10;B82Y10/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，包括被栅极四面包裹的三层纳米片沟道，设于纳米片沟道两端具有双重掺杂的源端和漏端，设于纳米片沟道左右两侧对称分布的边墙，与边墙接触、四面包裹沟道的栅极氧化物，四面包裹栅极氧化物的控制栅极和极性栅极。特征是器件的源端和漏端均具备双掺杂，两端同一侧为同种掺杂半导体，沟道为本征硅或轻掺杂的硅，形成n‑i‑n与p‑i‑p结构。本发明与现有的肖特基结隧穿型可重构场效应晶体管（SBRFET）相比，源端不受费米能级钉扎影响，容易获得电流对称性；源漏双掺杂可在器件导通的情况下提供大量电子或空穴，驱动电流提高的同时泄漏电流变化不大，故有更大的电流开关比，逻辑响应更快。

主权项：1.一种环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：被栅极四面包裹的三层纳米片沟道（1）；对称设于与纳米片沟道长度的两端面齐平且四面包裹纳米片沟道外侧的电学隔离边墙（2）；设于与电学隔离边墙（2）接触、四面包裹纳米片沟道且对称分布的栅极氧化物（3）；对称设置且四面包裹栅极氧化物（3）的控制栅极（4）和极性栅极（5）；设于控制栅极（4）与极性栅极（5）中间的氧化层隔断（6）；设于纳米片沟道一端的双掺杂源端，由N型源端（7）及P型源端（8）构成；设于纳米片沟道另一端的双掺杂漏端，由对应N型源端（7）的N型漏端（9）及对应P型源端（8）的P型漏端（10）构成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华东师范大学 环栅堆叠纳米片沟道的源漏双掺杂可重构场效应晶体管

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