申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735492A

主分类号：C01B19/04

分类号：C01B19/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于半导体粉体材料制备技术领域，公开了一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法。所述方法包括如下步骤：1将半导体材料经粉碎后装入石墨舟中，然后装入水平煅烧炉内；2在水平煅烧炉内通入惰性气体置换空气，然后持续通入惰性气体保护；3将水平煅烧炉升温至低于半导体材料熔点150～350℃的温度保温煅烧处理；4将步骤3保温煅烧处理后的物料自然降温至室温，然后筛分使煅烧产生的假性结团重新分散，即可得到流动性更好的半导体粉体材料。本发明方法具有处理工艺简单，设备要求低，工艺周期短，操作便捷，效果明显，易于实现大规模批量生产的优点。

主权项：1.一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，包括如下步骤：1将半导体材料经粉碎后装入石墨舟中，然后装入水平煅烧炉内；2在水平煅烧炉内通入惰性气体置换空气，然后持续通入惰性气体保护；3将水平煅烧炉升温至低于半导体材料熔点150～350℃的温度保温煅烧处理；4将步骤3保温煅烧处理后的物料自然降温至室温，然后筛分使煅烧产生的假性结团重新分散，即可得到流动性更好的半导体粉体材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法

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