申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747650A

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法，属于半导体技术领域，解决IGBT在短路模式下的短路耐量无法满足保护系统需求的问题。器件包括：沟槽栅MOS结构位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和短沟道沟槽栅MOS，以交替方式配置配对的长沟道沟槽栅MOS与配对的短沟道沟槽栅MOS；发射极区在衬底正面位于接触沟槽底面下方，包括位于配对的长沟道沟槽栅MOS之间的第一发射极区和位于配对的短沟道沟槽栅MOS之间的第二发射极区；发射极欧姆接触区包括位于接触沟槽中的第一欧姆接触部分和位于衬底正面上方的第二欧姆接触部分；N型缓冲区位于衬底的背面上方；集电极区位于N型缓冲区上方；集电极欧姆接触区位于集电极区上方。提高IGBT的短路耐量。

主权项：1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，包括：沟槽栅MOS结构，位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和多个短沟道沟槽栅MOS，其中，以交替方式配置配对的长沟道沟槽栅MOS与配对的短沟道沟槽栅MOS，所述长沟道沟槽栅MOS的深度大于所述短沟道沟槽栅MOS的深度；发射极区，位于所述衬底正面上并位于接触沟槽底面下方，包括位于配对的长沟道沟槽栅MOS之间的第一发射极区和位于配对的短沟道沟槽栅MOS之间的第二发射极区，其中，所述第一发射极区的深度与所述第二发射极区的深度相同；发射极欧姆接触区，包括位于所述接触沟槽中的第一欧姆接触部分和位于衬底正面上方的第二欧姆接触部分；N型缓冲区，位于所述衬底的背面上方；集电极区，位于所述N型缓冲区上方；以及集电极欧姆接触区，位于所述集电极区上方。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD