申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117733132A

主分类号：B22F1/054

分类号：B22F1/054;B22F9/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种金纳米片阵列及其化学生长方法和应用，属于纳米结构制备技术领域，本发明方法包括：制备十八烷基三甲基溴化铵溶液和HAuCl4溶液的混合溶液，作为金纳米片阵列的生长溶液；将基底放入生长溶液中，反应一定时间后取出，在基片表面生长得到金纳米片阵列。金纳米片与基底具有较好结合力，在STAB的引导下，可以长成形貌良好的金纳米片阵列结构。金作为等离子体金属可以通过表面等离子体共振效应有效得将光能转化为热能，金的化学稳定性优异，在长期光热水蒸发下也能保持良好的性能。

主权项：1.一种化学生长金纳米片阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：1制备十八烷基三甲基溴化铵溶液和HAuCl4溶液的混合溶液，作为金纳米片阵列的生长溶液；2将基底放入生长溶液中，反应一定时间后取出，在基底表面生长得到金纳米片阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种金纳米片阵列及其化学生长方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD