申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737823A

主分类号：C30B11/00

分类号：C30B11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置及方法，装置包括：炉体，设置在炉体上晶体生长加速检测系统、生长速度自适应控制系统，以及用于晶体生长的坩埚，所述炉体内还设有发热体及控制坩埚升降速度的籽晶杆升降装置；所述晶体生长加速检测系统设于所述炉体上方，用于检测所述坩埚在所述炉体中的位置，并根据所述坩埚在所述炉体中的位置获取晶体生长速度；所述生长速度自适应控制系统与所述发热体及所述籽晶杆升降装置连接，用于根据所述坩埚在所述炉体中的位置控制所述坩埚的下降速度，使得坩埚下降速度与晶体生长速度匹配。本发明抑制晶体结晶过程中缺陷的产生，提高晶体内部质量和利用率。

主权项：1.一种实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置，其特征在于，包括：炉体，设置在炉体上晶体生长加速检测系统、生长速度自适应控制系统，以及用于晶体生长的坩埚，所述炉体内还设有发热体及控制坩埚升降速度的籽晶杆升降装置；所述晶体生长加速检测系统设于所述炉体上方，用于检测所述坩埚在所述炉体中的位置，并根据所述坩埚在所述炉体中的位置获取晶体生长速度；所述生长速度自适应控制系统与所述发热体及所述籽晶杆升降装置连接，用于根据所述坩埚在所述炉体中的位置控制所述坩埚的下降速度，使得坩埚下降速度与晶体生长速度匹配。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置及方法

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