申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747395A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32;H01L21/67

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本公开实施例提供一种等离子体处理装置及基板处理方法，涉及半导体技术领域，用于解决基板的边缘区域刻蚀不均匀的技术问题。该装置包括用于承载基板并带动基板旋转的载台；具有出口的喷嘴，喷嘴位于基板的上方，出口朝向环形边缘区域且用于对环形边缘区域喷洒等离子体刻蚀剂。环形边缘区域包括基板完整的边缘，出口在基板上的投影区域不超过所环形边缘区域且覆盖基板部分的边缘。本公开可以尽可能保证位于出口在基板上的投影区域内各个位置处的等离子体刻蚀剂的含量基本相等。当载台带动基板旋转时，可以对基板的环形边缘区域在圆周方向上进行均匀刻蚀，避免环形边缘区域在圆周方向上被刻蚀不均匀，进而提高了基板的性能。

主权项：1.一种等离子体处理装置，用于对待处理的基板的环形边缘区域进行等离子体刻蚀，其特征在于，包括；载台，用于承载所述基板并带动所述基板旋转；具有出口的喷嘴，所述喷嘴位于所述基板的上方，所述出口朝向所述环形边缘区域且用于对所述环形边缘区域喷洒等离子体刻蚀剂；其中，所述环形边缘区域包括所述基板完整的边缘，所述出口在所述基板上的投影区域不超过所述环形边缘区域且覆盖所述基板部分的边缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 等离子体处理装置及基板处理方法

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