申请/专利权人：QORVO美国公司

申请日：2023-08-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747423A

主分类号：H01L21/306

分类号：H01L21/306;H01L21/02

优先权：["20220921 US 63/376,463","20230703 US 18/217,694"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本公开涉及用于对体硅装置进行抛光的方法。公开了用于对体硅进行抛光的方法。在一个方面，当机械抛光头在表面上操作时，通过在硅反应性浆料与去离子水之间循环交替来促进机械抛光。在示例性方面，所述抛光头对体硅载体晶片进行抛光以暴露射频RF互补金属氧化物半导体CMOS开关的背面，但其它半导体也可以受益于本公开的示例性方面。当存在硅浆料时，所述体硅与所述浆料之间发生反应，使得所述抛光头去除所述体硅。所述去离子水会中断这种反应，并有助于防止过度抛光，否则可能会损坏装置。

主权项：1.一种用于暴露用于背面处理的装置的方法，所述方法包括：用硅浆料和抛光头对所述装置进行抛光；以及用去离子水冲洗所述装置以去除所述硅浆料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： QORVO美国公司 用于对体硅装置进行抛光的方法

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