申请/专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737699A

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/40;C23C16/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种原子层沉积技术生长Cu2O薄膜的方法及制备的Cu2O薄膜，涉及Cu2O薄膜技术领域；本发明向反应腔中通入气相Cu前驱体沉积在衬底上，得到沉积有Cu前驱体的衬底；将氧前驱体通入反应腔，与沉积在衬底上的Cu前驱体进行单原子反应，得到含有单原子层Cu2O薄膜的衬底；完成一个ALD循环。重复上述步骤，得到生长有不同厚度的Cu2O薄膜的衬底。本发明采用ALD的生长方式，不会由于氧分压过高使得Cu前驱体氧化成CuO薄膜；所采用的前驱体反应具有自限制性，1次循环只能生长1个Cu2O层，膜厚精确可控；反应温度低，能够降低能源消耗及减少合成成本；衬底具有兼容性。

主权项：1.一种原子层沉积技术生长Cu2O薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将半导体衬底放置于反应腔内，向反应腔中通入气相Cu前驱体进行沉积反应，得到沉积有Cu前驱体的衬底；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫；将氧前驱体通入反应腔，与沉积在衬底上的Cu前驱体进行单原子反应，得到含有单原子层Cu2O薄膜的衬底；向反应腔中充入惰性气体进行吹扫；重复上述步骤，得到生长有不同厚度的Cu2O薄膜的衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 嘉兴科民电子设备技术有限公司 一种原子层沉积技术生长Cu₂O薄膜的方法及制备的Cu₂O薄膜

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