申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-04-27

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747644A

主分类号：H01L29/49

分类号：H01L29/49;H01L29/423;H01L21/28;H10B12/00

优先权：["20220921 US 17/949,474"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件，其包括具有一沟槽的一基底以及该沟槽中的一栅极结构。该栅极结构包括一下栅极电极，设置于该下栅极电极上的一上栅极电极，与该上栅极电极接触的一硅化层，以及设置于该下栅极电极与该基底之间的一下介电层。该下栅极电极及该上栅极电极经配置以接收不同的电压，以及该栅极结构设置于该基底的一主动区中。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底，具有一沟槽；以及一栅极结构，在该沟槽中，其中该栅极结构包括：一下栅极电极；一上栅极电极，设置于该下栅极电极上；一硅化层，与该上栅极电极接触；以及一下介电层，设置于该下栅极电极与该基底之间，其中该下栅极电极及该上栅极电极经配置以接收不同的电压，以及该栅极结构设置于该基底的一主动区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 半导体元件

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