申请/专利权人：西安微电子技术研究所

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747410A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;G06F30/17;G06F30/20;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。

主权项：1.一种薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，包括如下步骤：根据芯片翘曲状态及翘曲值，建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型和Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型；基于正面等效介质层Si翘曲仿真模型获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值；基于Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型和芯片翘曲值，获取翘曲值无限接近于0时背面矫正介质层厚度及背面翘曲矫正层材料种类；依据背面翘曲矫正层材料种类，完成厚度为背面矫正介质层厚度的芯片背面矫正介质材料制备，实现芯片翘曲的矫正。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安微电子技术研究所 一种薄芯片翘曲矫正方法及系统

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