申请/专利权人：河源市众拓光电科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747548A

主分类号：H01L21/8252

分类号：H01L21/8252;H01L27/08;H02M7/217

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体芯片技术领域，具体公开了一种并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备，其中，方法包括步骤：制备外延片；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N‑GaN层以使部分所述P‑GaN层外露；在所述二极管器件的N‑GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P‑GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件；该方法制作的芯片包含多个GaN基PN结二极管，相比于整流晶闸管，GaN基器件具有更高的频率范围和功率范围，能作为高频大功率整流电路的整流器件使用，并大幅度缩小整流芯片的面积尺寸。

主权项：1.一种并联型GaN整流集成芯片制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：制备外延片，所述外延片包括由下至上依次连接的衬底、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P-GaN层及N-GaN层；刻蚀所述外延片以使所述外延片上形成多个台面隔离的二极管器件；刻蚀所述二极管器件的N-GaN层以使部分所述P-GaN层外露；在所述二极管器件的N-GaN层上制备阴极，在所述二极管器件的P-GaN层的外露部分制备阳极；基于所述阴极和阳极制备并联结构连接多个所述二极管器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河源市众拓光电科技有限公司 并联型GaN整流集成芯片及其制作方法、相关设备

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