申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747539A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/82;H01L27/02

优先权：["20230629 KR 10-2023-0084523","20220921 US 63/376,588","20230127 US 18/160,341"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区，半导体区在第一方向上延伸；在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中底部绝缘体可以包括第一部分和第二部分以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构分别与第一部分和第二部分重叠；用底部半导体层替换底部绝缘体的第三部分；在第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构之间形成源极漏极区；用背面绝缘体替换衬底和半导体区；在背面绝缘体中形成电源接触，其中源极漏极区可以与电源接触重叠；以及形成电源轨。

主权项：1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、在所述衬底上的底部绝缘体、以及在所述衬底和所述底部绝缘体之间的半导体区，所述半导体区在第一方向上延伸；在所述底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中所述第一初步晶体管结构和所述第二初步晶体管结构在所述第一方向上彼此间隔开，所述底部绝缘体包括第一部分和第二部分以及在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一初步晶体管结构和所述第二初步晶体管结构分别与所述第一部分和所述第二部分重叠；用底部半导体层替换所述底部绝缘体的所述第三部分；在所述第一初步晶体管结构和所述第二初步晶体管结构之间以及在所述底部半导体层上形成源极漏极区；用背面绝缘体替换所述衬底和所述半导体区；在所述背面绝缘体中形成电源接触，其中所述源极漏极区与所述电源接触重叠；以及形成电源轨，其中所述电源接触在所述源极漏极区和所述电源轨之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 集成电路器件和形成其的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD