申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747421A

主分类号：H01L21/28

分类号：H01L21/28;H01L29/45;H01L29/778

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及一种欧姆接触结构及其制备方法、GaNHEMT器件，通过提供外延片，外延片包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层，继而，在外延片上形成光刻胶图形层，光刻胶图形层位于保护层背离势垒层的一侧，光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口；继而，将形成有光刻胶图形层的外延片浸入酸性溶液中，并在光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有光刻胶图形层的外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，酸性溶液的酸度系数大于10‑4，第二欧姆接触窗口与第一欧姆接触窗口连通并暴露出沟道导电层；最后，在第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极，如此，使得欧姆接触电阻极低，刻蚀形成第二欧姆接触窗口的效率极高。

主权项：1.一种欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供外延片，包括依次层叠设置的衬底、沟道导电层、势垒层和保护层；在所述外延片上形成光刻胶图形层，所述光刻胶图形层开设有第一欧姆接触窗口，所述光刻胶图形层位于所述保护层背离所述势垒层的一侧；将形成有所述光刻胶图形层的所述外延片浸入酸性溶液中，并在所述光刻胶图形层所在侧采用紫外激光对形成有所述光刻胶图形层的所述外延片进行照射，以刻蚀形成第二欧姆接触窗口，其中，所述酸性溶液的酸度系数大于10-4，所述第二欧姆接触窗口与所述第一欧姆接触窗口连通，并暴露出所述沟道导电层；在所述第二欧姆接触窗口内形成欧姆接触电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) 欧姆接触结构及其制备方法、GaN HEMT器件

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