申请/专利权人：派赛公司

申请日：2018-05-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747641A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/49;H01L29/10

优先权：["20170607 US 15/616,811"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：公开一种集成电路和在绝缘体上硅衬底上制造NMOSFET的方法。该集成电路在绝缘体上硅衬底上制造并包括至少一个低泄漏场效应晶体管。至少一个低泄漏场效应晶体管包括：a栅极结构，所述栅极结构具有各自具有其自己的相关联的功函数ΦMF的中央区和边缘区；b由所述栅极结构限定的中央传导沟道，所述中央传导沟道具有阈值电压VtC和长度L；以及c由所述栅极结构的对应边缘区限定的至少一个边缘晶体管，每个边缘晶体管具有部分地由所述栅极结构的对应边缘区的功函数ΦMF确定的阈值电压VtE；其中，所述栅极结构的至少一个对应边缘区的功函数ΦMF被充分地修改以使这样的对应边缘晶体管的VtE增加至近似等于或大于VtC。

主权项：1.一种在绝缘体上硅衬底上制造并包括至少一个低泄漏场效应晶体管的集成电路，所述至少一个低泄漏场效应晶体管包括：a栅极结构，所述栅极结构具有各自具有其自己的相关联的功函数ΦMF的中央区和边缘区；b由所述栅极结构限定的中央传导沟道，所述中央传导沟道具有阈值电压VtC和长度L；以及c由所述栅极结构的对应边缘区限定的至少一个边缘晶体管，每个边缘晶体管具有部分地由所述栅极结构的对应边缘区的功函数ΦMF确定的阈值电压VtE；其中，所述栅极结构的至少一个对应边缘区的功函数ΦMF被充分地修改以使这样的对应边缘晶体管的VtE增加至近似等于或大于VtC。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 派赛公司 集成电路和在绝缘体上硅衬底上制造NMOSFET的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD