申请/专利权人：罗姆股份有限公司

申请日：2022-05-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751455A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/739;H01L29/12;H01L21/336

优先权：["20210805 JP 2021-128850"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：半导体器件包括：第1导电型的第1半导体区域，其在芯片内形成在第1主面侧的区域；第2导电型的第2半导体区域，其在所述芯片内形成在第2主面侧的区域；第1槽结构，其包含以在剖视时将所述第1半导体区域划分成第1区域和第2区域的方式贯通所述第1半导体区域地形成在所述第1主面的第1槽、覆盖所述第1槽的内壁的控制绝缘膜和以能够控制所述第2半导体区域中的沟道的方式隔着所述控制绝缘膜地埋设于所述第1槽中的控制电极；第1电极，其在所述第1区域中与所述第1半导体区域电连接；第2槽结构，其包含在所述第2区域中贯通所述第1半导体区域地形成在所述第1主面的第2槽和以在与所述第1电极之间形成经由所述沟道的电流路径的方式埋设于所述第2槽中的第2电极。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：芯片，其具有一侧的第1主面和另一侧的第2主面；第1导电型的第1半导体区域，其在所述芯片内形成在所述第1主面侧的区域；第2导电型的第2半导体区域，其在所述芯片内形成在比所述第1半导体区域靠所述第2主面侧的区域；第1槽结构，其包含第1槽、控制绝缘膜和控制电极，所述第1槽以在剖视时将所述第1半导体区域划分成一侧的第1区域和另一侧的第2区域的方式，贯通所述第1半导体区域地形成在所述第1主面，所述控制绝缘膜覆盖所述第1槽的内壁，所述控制电极以能够控制所述第2半导体区域中的沟道的方式隔着所述控制绝缘膜地埋设于所述第1槽中；第1电极，其在所述第1区域中与所述第1半导体区域电连接；和第2槽结构，其包含第2槽和第2电极，所述第2槽在所述第2区域中贯通所述第1半导体区域地形成在所述第1主面，所述第2电极以在与所述第1电极之间形成经由所述沟道的电流路径的方式埋设于所述第2槽中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗姆股份有限公司 半导体器件

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