申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2020-01-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111463147B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;G03F7/20

优先权：["20190122 JP 2019-008674"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2020.07.28#公开

摘要：本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有所述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的所述基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了所述加热处理的所述基片的所述覆膜进行显影处理；调节控制部，其使各个所述基片之在形成于所述基片上的所述覆膜内进行所述加热处理时反应的水分量的差缩小；输送所述基片的输送装置；和基片收纳部，其构成为与收纳所述输送装置的输送空间相比，能够抑制所述覆膜所含的含水量的变化，所述调节控制部至少在所述曝光处理前调节各个所述基片的所述含水量，以使各个所述基片之所述加热处理开始时的所述含水量的差缩小，所述调节控制部在由所述成膜处理部形成所述覆膜后控制所述输送装置以将所述曝光处理前的所述基片送入所述基片收纳部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理方法和存储介质

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