申请/专利权人：新时代电力系统有限公司

申请日：2014-11-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111554752B

主分类号：H01L29/861

分类号：H01L29/861;H01L21/76;H01L29/20;H01L29/06;H01L29/04;H01L21/02;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/329

优先权：["20131104 US 14/071,032"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：本发明涉及一种使用斜切衬底的高功率氮化镓电子器件。本申请提供一种场效应晶体管及其制造方法。所述场效应晶体管包括：III‑V族衬底，具有同质晶体结构和关于生长面的法线，所述关于生长面的法线相对于0001方向存在取向偏差，其中，所述关于生长面的法线朝向方向的取向偏差的角度在‑0.3°与‑0.6°之间，并且朝向方向的取向偏差的角度在‑0.1°与‑0.2°之间；第一外延层，联接到所述III‑V族衬底；第二外延层，联接到所述第一外延层；漏极接触件，电接触所述III‑V族衬底；源极接触件，电接触所述第一外延层；以及栅极接触件，点接触所述第二外延层。

主权项：1.一种电子器件，包括：III-V族衬底，具有同质晶体结构和关于生长面的法线，所述关于生长面的法线相对于0001方向存在取向偏差，其中，所述关于生长面的法线朝向方向的取向偏差的角度在-0.3°与-0.6°之间，并且朝向方向的取向偏差的角度在-0.1°与-0.2°之间；第一外延层，联接到所述III-V族衬底；第二外延层，联接到所述第一外延层；第一接触件，电接触所述III-V族衬底；以及第二接触件，电接触所述第二外延层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新时代电力系统有限公司 使用斜切衬底的高功率氮化镓电子器件

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