申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2021-03-10

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112864099B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.06.15#实质审查的生效;2021.05.28#公开

摘要：本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使有源区阵列中的有源区和位于有源区阵列外围的边缘围设部具有不同的离子掺杂状况，使得边缘围设部不具备与有源区相同的导电性能，从而可避免位线在跨越边缘围设部时与边缘围设部电性导通，有效改善了位线通过边缘围设部发生短路而使得电信号难以传导至有源区阵列中的问题，保障了存储器的正常运行。

主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有元胞区和周边区；隔离结构，至少设置在所述元胞区的衬底中，以在所述元胞区中隔离出有源区阵列和围绕在所述有源区阵列外围的边缘围设部，以及所述有源区阵列包括多个利用所述隔离结构相互分隔的有源区，其中，所述有源区阵列中位于离子有源区域内的有源区中掺杂有预定离子，所述离子有源区域的区域范围位于所述有源区阵列的区域范围之内，所述有源区阵列中位于边缘位置的边缘有源区至少端部位于所述离子有源区域之外而未包含有所述预定离子，所述边缘围设部的衬底中未包含所述预定离子；以及，多条位线，位于所述衬底上并沿着第一方向延伸，以和所述有源区阵列中相应的有源区相交，并从所述有源区阵列经由所述边缘围设部进一步延伸至所述周边区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 存储器及其形成方法

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