申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117476834B

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的AlGaN层、AlN层、AlInGaN层、AlN层和AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaNInGaN超晶格结构。本发明可提高P型材料的空穴注入效率并改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，同时有利于半导体材料中V形坑的合并，提高外延质量，从而提高LED器件性能。

主权项：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaNInGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，所述第二P型半导体层为第一GaN层；所述第一AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm；所述第一AlN层的厚度为2nm~20nm；所述第一AlInGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，In组分占比为0.02~0.05，厚度为5nm~30nm；所述第二AlN层的厚度为2nm~20nm；所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管

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