申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-01-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110047778B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/02

优先权：["20180115 JP 2018-003937"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2019.07.23#公开

摘要：本发明能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。实施方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部控制，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：用于保持基片并使其旋转的保持部；用于向所述基片的背面排出处理液的喷嘴；用于测量对象区域内的物体的温度的检测部；控制部，其能够控制所述保持部，在进行了干燥处理后，根据所述检测部的检测结果，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液，其中所述干燥处理使所述基片旋转以从该基片甩去所述处理液来使所述基片干燥；和用于推升所述基片的推升销，所述检测部配置于比所述基片靠上方处，接收能够透过所述基片的波长的电磁波来检测附着于所述基片的背面的所述处理液，所述控制部在进行了所述干燥处理后，根据在使用所述推升销推升了所述基片的情况下由所述检测部检测的所述处理液的形状的变化，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液。

全文数据：基片处理装置、基片处理方法和存储介质技术领域本发明的实施方式涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。背景技术一直以来，已知对半导体晶片和玻璃基片等基片的背面供给处理液来处理基片的背面的基片处理装置。在这种基片处理装置中，在对基片的背面供给处理液后，进行使基片以高速旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥的干燥处理参照专利文献1。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-123335号公报发明内容发明想要解决的技术问题但是，在上述的现有技术中，有时在干燥处理后的基片的背面产生处理液残存而成的残留液。在基片的背面产生残留液时，例如存在在下一步骤的装置中保持基片的保持部被污染等不良状况的可能性。实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够检测干燥处理后的基片背面的残留液的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。用于解决技术问题的技术方案实施方式的一个方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴、检测部和控制部。保持部保持基片并使其旋转。喷嘴向基片的背面排出处理液。检测部测量对象区域内的物体的温度。控制部控制保持部，在进行了干燥处理后，根据检测部的检测结果，判断在基片的背面有无处理液的残留液，其中该干燥处理使基片旋转以从基片甩去处理液来使基片干燥。发明效果依照实施方式的一个方式，能够检测干燥处理后的基片背面的残留液。附图说明图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。图2是表示处理单元的概略构成的图。图3是表示处理单元的具体的构成的图。图4是表示支承部位于上方位置时的处理单元的状态的图。图5是示意地表示检测部的检测结果的图。图6是表示在处理单元进行的基片处理的顺序的流程图。图7是表示恢复处理的顺序的流程图。图8是调节恢复用冲洗处理的处理时间的处理的说明图。图9是表示第一变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。图10是表示第二变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。图11是表示第三变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。图12是表示第四变形例的处理单元的构成的图。图13是表示第四变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。附图标记说明W晶片1基片处理系统16处理单元18控制部30基片保持机构40a液体供给路径40b气体供给路径41背面喷嘴42喷头部分100检测部131d推升销。具体实施方式下面，参照附图，详细地说明用于实施本申请的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的方式以下，记为“实施方式”。此外，本申请的基片处理装置、基片处理方法和存储介质并不由该实施方式所限定。另外，各实施方式在不使处理内容矛盾的范围内能够适当组合。另外，在以下的各实施方式中对相同的部位标注相同的附图标记，并省略重复的说明。1.基片处理系统的构成首先，参照图1说明基片处理系统的构成。图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略构成的图。下面，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。载体载置部11能够载置以水平状态收纳多个基片本实施方式中为半导体晶片以下记为晶片W的多个载体C。输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够向水平方向和铅垂方向移动且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间输送晶片W。处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够向水平方向和铅垂方向移动且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间输送晶片W。处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19中存储有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，来控制基片处理系统1的动作。此外，上述程序是存储于计算机可读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘HD、软盘FD、光盘CD、磁光盘MO、存储卡等。在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置在交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出后，送入处理单元16。送入到处理单元16的晶片W被处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出并载置在交接部14。然后，载置于交接部14的处理结束的晶片W由基片输送装置13送回载体载置部11的载体C。控制装置4的控制部18包括具有CPUCentralProcessingUnit，中央处理器、ROMReadOnlyMemory，只读存储器、RAMRandomAccessMemory，随机存储存储器、输入输出端口等的微型计算机和各种电路。该微型计算机的CPU通过读取并执行存储于ROM的程序，来实现后述的控制。控制装置4的存储部19例如由RAM、闪存FlashMemory等半导体存储元件或者硬盘、光盘等存储装置来实现。2.处理单元的概略构成接着，参照图2，说明处理单元16。图2是表示处理单元16的概略构成的图。如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。腔室20用于收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收杯50。在腔室20的顶部设有FFUFanFilterUnit，风机过滤器21。FFU21用于在腔室20内形成下沉气流downflow。基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱动部33。保持部31用于水平地保持晶片W。支柱部32是在铅直方向上延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部水平地支承保持部31。驱动部33使支柱部32绕铅直轴旋转。上述基片保持机构30使用驱动部33来使支柱部32旋转以使支承于支柱部32的保持部31旋转，从而使保持于保持部31的晶片W旋转。处理流体供给部40向晶片W供给处理流体。处理流体供给部40与处理流体供给源70连接。回收杯50以包围保持部31的方式配置，收集由于保持部31的旋转而从晶片W飞散的处理液。在回收杯50的底部形成有排液口51，将由回收杯50收集到的处理液从上述排液口51向处理单元16的外部排出。另外，在回收杯50的底部形成有用于将从FFU21供给的气体向处理单元16的外部排出的排气口52。3.处理单元的具体的构成接着，参照图3和图4，说明上述的处理单元16的具体的构成。图3是表示处理单元16的具体的构成的图。另外，图4是表示支承部位于上方位置时的处理单元16的状态的图。此外，在图3和图4中，省略腔室20、处理流体供给部40和回收杯50进行了表示。如图3所示，保持部31包括：用于保持晶片W的保持板131a；从下方支承晶片W的支承部131b；背面喷嘴41，其通过形成于保持板131a的中心部分的贯通孔133；和能够使支承部131b相对于保持板131a相对升降的升降机构60。支承部131b配置在保持板131a上，与保持板131a连动地旋转。在背面喷嘴41设置有以封闭保持板131a的贯通孔133的方式设置的喷头部分42。支承部131b构成为可升降的。图3表示支承部131b位于与保持板131a抵接的下方位置时的状态，图4表示支承部131b位于与保持板131a隔隔开间隔的上方位置时的状态。支承部131b能够在图3所示的下方位置与图4所示的上方位置之间升降。支承部131b具有圆板形状，在其中心部分形成有贯通孔。在支承部131b的正面设置有多个推升销liftpin131d。上述推升销131d在支承部131b的周缘部附近等间隔地设置在周向。另外，在支承部131b的背面设置有多个轴部131f。各轴部131f从支承部131b的背面向下方延伸。上述轴部131f在支承部131b的周缘部附近等间隔地设置在周向。保持板131a具有直径比支承部131b大的圆板形状，在其中心部分形成有贯通孔133。背面喷嘴41通过该贯通孔133。在保持板131a的正面形成有能够收纳支承部131b的凹部。支承部131b在下方位置被收纳在保持板131a的上述凹部。在保持板131a的背面的中心部分，以从该保持板131a的背面向下方延伸的方式安装有中空的支柱部32。在该支柱部32的中空部分收纳有背面喷嘴41。另外，支柱部32经由轴承未图示等由驱动部未图示使之旋转。驱动部使支柱部32旋转，从而保持板131a也旋转。另外，在保持板131a形成有多个贯通孔131a1，其中插入贯通有从支承部131b的背面向下方延伸的棒状的轴部131f。各贯通孔131a1等间隔地设置在保持板131a的周向。在保持板131a设置有用于从侧方支承晶片W的多个基片支承部141。如图3所示，基片支承部141在支承部131b位于下方位置时从侧方支承晶片W。另一方面，如图4所示，基片支承部141在支承部131b位于上方位置时与晶片W隔开间隔。背面喷嘴41被设置成通过保持板131a的贯通孔133。此外，背面喷嘴41在支承部131b、保持板131a旋转时也不旋转。在背面喷嘴41设置有用于通过液体的液体供给路径40a和用于通过气体的气体供给路径40b。液体供给路径40a经由流量调节部71与药液供给源72连接。流量调节部71包括开闭阀、流量控制阀、流量计等，用于调节从药液供给源72供给的药液的流量。药液供给源72是用于贮存药液的罐。例如，药液供给源72能够贮存作为药液的SC1氨过氧化氢水的混合液。此外，在药液供给源72的药液不限于SC1，也可以为SC2盐酸过氧化氢水的混合液、DHF稀氢氟酸等。另外，液体供给路径40a经由流量调节部73与冲洗液供给源74连接。流量调节部73包括开闭阀、流量控制阀、流量计等，用于调节从冲洗液供给源74供给的冲洗液的流量。冲洗液供给源74是用于贮存药液的罐。例如，冲洗液供给源74贮存作为冲洗液的纯水DeionizedWater：以下，记为“DIW”。气体供给路径40b经由流量调节部75与气体供给源76连接。流量调节部75包括开闭阀、流量控制阀、流量计等，用于调节从气体供给源76供给的干燥用气体的流量。气体供给源76是用于贮存干燥用气体的罐。例如，气体供给源76贮存作为干燥用气体的N2氮气。贮存在药液供给源72的药液和贮存在冲洗液供给源74的冲洗液通过液体供给路径40a从背面喷嘴41的前端向晶片W的背面中央部排出。另外，贮存在气体供给源76的干燥用气体通过气体供给路径40b从背面喷嘴41的前端向晶片W的背面中央部排出。升降机构60与在水平方向延伸的第一连动部件44连接。多个棒状的第二连动部件46以从第一连动部件44向上方延伸的方式与第一连动部件44连接。各第二连动部件46被设置成与各轴部131f的底面接触。在图3所示的状态中，升降机构60使第一连动部件44和各第二连动部件46向上方移动，由此各第二连动部件46与各轴部131f的底面抵接而将各轴部131f推压到上方。由此，支承部131b向上方移动，成为配置于图4所示的上方位置的状态。在处理单元16中，连续地进行药液处理、冲洗处理和干燥处理。药液处理是对晶片W的背面从背面喷嘴41供给药液的处理，冲洗处理是对药液处理后的晶片W的背面供给冲洗液的处理。另外，干燥处理是对冲洗处理后的晶片W的背面一边从背面喷嘴41供给干燥用气体，一边使晶片W以高速旋转从而将冲洗液从晶片W甩去以使晶片W干燥的处理。在此，在处理单元16中，有时在干燥处理后的基片的背面产生处理液残存而成的残留液。残留液可能由如下原因产生：例如在药液处理时排出的药液进入背面喷嘴41的气体供给路径40b，在之后的干燥处理时与干燥用气体一起从气体供给路径40b排出而附着在晶片W的背面。药液难以发挥，一直附着在晶片W的背面，因此，在晶片W的背面产生残留液。作为残留液的其他的原因，也考虑附着于背面喷嘴41的喷头部分42的处理液的转移。即，在上述的一系列的基片处理中，晶片W的背面配置在靠近背面喷嘴41的喷头部分42的位置，因此，存在残存在喷头部分42的上部的药液转移到晶片W的背面的可能性。在任一情况下，在背面喷嘴41的附近即晶片W的背面中央部产生残留液的可能性都较高。在晶片W的背面产生残留液时，例如，在下一工序的装置中，保持晶片W的保持部被药液污染。所以，在将干燥处理后的晶片W从处理单元16送出前，在处理单元16中检查在晶片W的背面是否产生了残留液。另外，在处理单元16中，在晶片W的背面产生了残留液的情况下，进行用于消除残留液的恢复处理，然后送出干燥处理后的晶片W。具体而言，本实施方式的处理单元16具有检测附着于晶片W的背面的处理液的检测部100。检测部100是红外线传感器，在腔室20内，配置在比保持于保持部31的晶片W靠上方处。作为红外线传感器的检测部100，具有用于接收红外线的感光元件，由感光元件接收从对象区域内的物体辐射的红外线并将其转换为电信号，然后将该电信号转换为亮度信号从而生成红外线图像。即，利用检测部100，能够不接触地测量对象区域内的物体的温度。半导体晶片，具体而言作为硅晶片的晶片W，具有能够透过红外线的性质。因此，从附着于晶片W的背面的处理液辐射的红外线，透过晶片W被检测部100的感光部接收。由此，检测部100能够从晶片W的正面侧检测附着在晶片W的背面的处理液。检测部100例如在上述一系列的基片处理之间，持续检测包含晶片W的中心的对象区域内的物体的温度。然后，检测部100将作为检测结果的红外线图像输出到控制部18。图5是示意地表示检测部100的检测结果的图。如图5所示，作为检测部100的检测结果的红外线图像是将对象区域内的热分布用图表示的图像。处理液所附着的部分因处理液的气化热而温度比周围低。通过利用该现象，控制部18能够将在红外线图像中温度比周围低的部分H检测为处理液所附着的部分。4.处理流程接着，参照图6，说明在上述的处理单元16中进行的一系列的基片处理的内容。图6是表示在处理单元16中进行的基片处理的顺序的流程图。此外，按照控制部18的控制来执行图6所示的各处理顺序。由基片输送装置17参照图1输送到处理单元16的晶片W经由未图示的送入送出口被送入腔室20内步骤S101。基片输送装置17在将晶片W载置到基片保持机构30的保持部31后，从腔室20内退出。之后，控制部18开始药液处理步骤S102。在药液处理中，控制部18控制驱动部33，使保持部31旋转。接着，控制部18使流量调节部71的开闭阀开放规定时间。由此，由药液供给源72供给的药液从背面喷嘴41被排出到晶片W的背面。排出到晶片W的背面的药液因随晶片W的旋转而产生的离心力而在晶片W上扩散。由此，能够利用药液处理晶片W的背面例如清洗。接着，控制部18开始进行冲洗处理步骤S103。冲洗处理中，控制部18使流量调节部73的开闭阀开放规定时间。由此，从冲洗液供给源74供给的冲洗液从背面喷嘴41被排出到晶片W的背面。排出到晶片W的背面的冲洗液因随晶片W的旋转而产生的离心力在晶片W上扩散。由此，能够利用冲洗液冲走残存在晶片W的药液。接着，控制部18进行干燥处理步骤S104。在干燥处理中，控制部18使晶片W以比药液处理时和冲洗处理时高的转速旋转。另外，控制部18使流量调节部75的开闭阀开放规定时间，以从背面喷嘴41向晶片W的背面排出N2气体。由此，利用从背面喷嘴41排出的N2气体和随晶片W的旋转而产生的离心力，从从晶片W上除去残存在晶片W的冲洗液以使晶片W干燥。假设在药液处理时排出的药液进入气体供给路径40b的情况下，气体供给路径40b内的药液可能在步骤S104的干燥处理时与N2气体一起被排出而附着在晶片W的背面。之后，控制部18使晶片W的旋转停止，根据从检测部100获得的检测结果参照图5，判断在晶片W的背面是否存在残留液步骤S105。例如，控制部18在存在温度不到阈值的区域的情况下，判断为在晶片W的背面存在残留液。或者，控制部18在与周围的温度例如，在检测结果中分布比例最大的温度，以下记为“基准温度”相比温度低的区域，即与上述基准温度的温度差超过阈值的区域存在的情况下，判断为在晶片W的背面存在残留液。在步骤S105中，在判断为在晶片W的背面存在残留液的情况下步骤S105，是，控制部18进行报知处理步骤S106。在报知处理中，控制部18例如使基片处理系统1具有的未图示的显示灯点亮，或者将在该处理单元16中在晶片W的背面产生了残留液这样主旨的信息输出到上位装置。另外，也可以为控制部18将上述的信息显示在基片处理系统1具有的未图示的显示部。另外，控制部18进行用于消除残留液的恢复处理步骤S107。关于该恢复处理的内容在后文述说。利用恢复处理，能够从晶片W的背面除去附着于晶片W的背面的药液。在步骤S105中在晶片W的背面没有残留液的情况下步骤S105，否，或者步骤S107的恢复处理结束的情况下，控制部18进行送出处理步骤S108。在送出处理中，进入到腔室20内的基片输送装置17按照与送入时相反的顺序交接晶片W，从处理单元16送出晶片W。在此，在干燥处理后进行判断在晶片W的背面是否存在残留液的处理，但是也可以为控制部18不在干燥处理后而在药液处理开始前进行同样的判断处理。例如，也可以为控制部18在送入处理后使晶片W旋转前，根据从检测部100输入的检测结果来判断在晶片W的背面是否存在残留液。如上所述，在药液处理前进行判断处理，从而能够分为在干燥处理后检测出的残留液是在药液处理后产生的还是在药液处理前产生的。即，可知在药液处理前的判断处理中，在判断为存在残留液的情况下，在晶片W的背面在药液处理前就产生了残留液。另外，能够在药液处理前的判断处理中，在判断为存在残留液的情况下，通过进行步骤S106的报知处理和与后述的步骤S107的恢复处理相同的处理，在使作为处理对象的晶片W成为在背面不存在残留液的正常的状态之后开始进行药液处理。另外，在此，在步骤S107中进行了恢复处理之后，进行了送出处理，但是不限于此，也可以为控制部18在进行了恢复处理之后，再次进行与步骤S105相同的判断处理，在判断为在恢复处理后的晶片W的背面不存在残留液的情况下，转移到步骤S108的送出处理。另外，也可以通过设定来改变是否进行步骤S105的判断处理。此外，在步骤S102的药液处理中，与从背面喷嘴41向晶片W的背面供给药液的处理一同进行从处理流体供给部40参照图2向晶片W的正面供给药液的处理。另外，在步骤S103的冲洗处理中，与从背面喷嘴41向晶片W的背面供给冲洗液的处理一同进行从处理流体供给部40向晶片W的正面供给冲洗液的处理。另外，在步骤S104的干燥处理中，与从背面喷嘴41向晶片W的背面供给N2气体的处理一同进行从处理流体供给部40向晶片W的正面供给N2气体的处理。接着，参照图7，说明步骤S107中的恢复处理的处理顺序。图7是表示恢复处理的顺序的流程图。如图7所示，在恢复处理中，控制部18首先进行恢复用冲洗处理步骤S201。在恢复用冲洗处理中，控制部18控制驱动部33以使保持部31旋转。之后，控制部18使流量调节部73的开闭阀开放规定时间。由此，从冲洗液供给源74供给的冲洗液从背面喷嘴41被排出到晶片W的背面。排出到晶片W的背面的冲洗液因随晶片W的旋转而产生的离心力在晶片W上扩散。由此，残存在晶片W的背面的药液被冲洗液冲走，以消除残留液。在恢复用冲洗处理中，仅向晶片W的正面和背面中的背面供给冲洗液。因此，在恢复用冲洗处理中，为了抑制冲洗液绕到晶片W的正面，使晶片W的转速大于步骤S103的冲洗处理时的转速。例如，控制部18在恢复用冲洗处理中，使晶片W以与后面的恢复用干燥处理时相同或者比恢复用干燥处理时大的转速旋转。具体而言，晶片W的转速优选为1000rpm以上。接着，控制部18进行恢复用干燥处理步骤S202。在恢复用干燥处理中，控制部18使流量调节部75的开闭阀开放规定时间，以从背面喷嘴41向晶片W的背面排出N2气体。由此，利用从背面喷嘴41排出的N2气体和随晶片W的旋转而产生的离心力，从晶片W上除去残存在晶片W的冲洗液，以使晶片W干燥。当恢复用干燥处理结束时，控制部18结束恢复处理。如上所述，在判断为在晶片W的背面存在处理液的残留液的情况下，控制部18进行如下处理恢复用冲洗处理和恢复用干燥处理，其中，该恢复用冲洗处理从背面喷嘴41向晶片W的背面排出冲洗液，该恢复用干燥处理在恢复用冲洗处理后，控制保持部31，使晶片W旋转而从晶片W甩去冲洗液，以使晶片W干燥。由此，即使在晶片W的背面产生了残留液，也能够使产生了该残留液的晶片W成为没有残留液的状态，而从处理单元16送出。也可以为控制部18计算根据图5所示的红外线图像检测出残留液的区域图5所示的H的面积以下记为“残留液面积”，根据计算出的残留液面积的大小，调节在恢复用冲洗处理中从背面喷嘴41向晶片W的背面排出冲洗液的时间。参照图8，说明这一点。图8是调节恢复用冲洗处理的处理时间的处理的说明图。在晶片W的背面仅附着有少量的药液的情况下，除去残留液的所需要的冲洗液的排出时间，与在晶片W的背面附着有大量的药液的情况相比较短。因此，如图8所示，控制部18也可以为残留液面积越大，越增加恢复用冲洗处理中冲洗液的排出时间，残留液面积越小，越缩短恢复用冲洗处理中冲洗液的排出时间。这样一来，能够最优化恢复用冲洗处理的处理时间。如上所述，本实施方式的处理单元16基片处理装置的一例包括保持部31、背面喷嘴41喷嘴的一例、检测部100和控制部18。保持部31保持晶片W基片的一例并使其旋转。背面喷嘴41向晶片W的背面排出处理液。检测部100测量对象区域内的物体的温度。控制部18进行了控制保持部31使晶片W旋转以从晶片W甩去处理液而使晶片W干燥的干燥处理后，根据检测部100的检测结果，判断在晶片W的背面有无处理液的残留液。因此，利用本实施方式的处理单元16，能够检测干燥处理后的晶片W背面的残留液。5.第一变形例在使用作为红外线传感器的检测部100，从晶片W的正面侧检测对象区域内的处理液的情况下，存在这样的可能性：不仅检测到附着在晶片W的背面的处理液，还检测到附着在保持板131a和背面喷嘴41的喷头部分42等的处理液。因此，也可以进行如下处理：判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。参照图9，说明这一点。图9是表示第一变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。图9所示的一系列的处理例如在图6所示的步骤S105中进行。如图9所示，控制部18判断是否由检测部100检测到处理液步骤S301。在步骤S301中，在未检测到处理液的情况下步骤S301，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S302。另一方面，在步骤S301中，在判断为检测到处理液的情况下步骤S301，是，控制部18控制升降机构60参照图3使推升销131d上升步骤S303。由此，由基片支承部141支承晶片W的状态被解除，晶片W与推升销131d一起上升而成为配置于图4所示的上方位置的状态。在此，在步骤S301中检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液的情况下，在步骤S303中使晶片W上升，从而处理液变得靠近检测部100。由此，由检测部100检测的处理液的面积残留液面积变大。另一方面，在步骤S301中检测到的处理液是附着于晶片W以外的部位例如，背面喷嘴41的喷头部分42的处理液的情况下，即使使晶片W上升，残留液面积也不变化。控制部18通过比较在步骤S303中使晶片W上升前的残留液面积与在步骤S303中使晶片W上升后的残留液面积，判断残留液面积是否增加步骤S304。然后，在判断为残留液面积增加的情况下步骤S304，是，控制部18判断为在晶片W的背面存在残留液步骤S305，使处理转移到步骤S106参照图6的报知处理。另一方面，在残留液面积没有增加的情况下步骤S304，否，控制部18判断在晶片W的背面没有残留液步骤S302，使处理转移到步骤S108的送出处理。如上所述，在第一变形例中，控制部18在进行了干燥处理后，根据在使用推升销131d推升了晶片W的情况下由检测部100检测的处理液的形状的变化，判断晶片W的背面的处理液的残留液的有无。由此，能够判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。因此，能够抑制误检测出晶片W的背面的残留液。此外，在此，在步骤S304中，通过判断残留液面积是否增加，来判断在晶片W的背面是否存在残留液，但是控制部18也可以例如在步骤S303中使晶片W上升的期间，持续检测残留液，在检测到残留液的区域发生了移动的情况下，判断在晶片W的背面存残留液。6.第二变形例能够通过使晶片W旋转来判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。参照图10，对这一点进行说明。图10是表示第二变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。如图10所示，控制部18判断是否由检测部100检测到处理液步骤S401。在步骤S401中，在未检测到处理液的情况下步骤S401，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S402。另一方面，在步骤S401中，在判断为检测到处理液的情况下步骤S401，是，控制部18控制驱动部33使晶片W例如旋转一圈步骤S403。使此时的晶片W的转速为至少比药液处理步骤S102和冲洗处理步骤S103中的晶片W的转速小的转速。在步骤S401中检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液的情况下，在步骤S403中使晶片W旋转，随着晶片W的旋转而处理液的形状发生变化旋转。与之相反，在步骤S401中检测到的处理液是附着于晶片W以外的部位的处理液的情况下，即使使晶片W旋转，残留液的形状也不变化。控制部18判断由检测部100检测到的残留液的形状是否因晶片W的旋转而变化步骤S404。然后，在判断为残留液的形状发生了变化的情况下步骤S404，是，控制部18判断为在晶片W的背面存在残留液步骤S405，使处理转移到步骤S106参照图6的报知处理。另一方面，在残留液的形状没有发生变化的情况下步骤S404，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S402，使处理转移到步骤S108的送出处理。如上所述，在第二变形例中，在进行干燥处理后，控制部18根据在控制保持部31使晶片W旋转的情况下由检测部100检测的处理液的形状的变化，判断在晶片W的背面有无处理液的残留液。由此，与第一变形例相同，能够判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。7.第三变形例还能够根据由检测部100检测到的处理液的温度的经时变化，来判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。参照图11，对这一点进行说明。图11是表示第三变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。如图11所示，控制部18判断是否由检测部100检测到处理液步骤S501。在步骤S501中，在没有检测到处理液的情况下步骤S501，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S502。另一方面，在步骤S501中，在判断为检测到处理液的情况下步骤S501，是，控制部18判断是否经过了设定时间步骤S503，以将晶片W的位置固定的状态待机至经过设定时间为止步骤S503，否。处理液的液温随时间的经过而变化，但是该变化率根据附着有处理液的物体的热传导率而变化。控制部18计算由检测部100检测到的处理液的液温的变化率和预先存储的基准变化率的一致度步骤S504。基准变化率是附着于晶片W的背面的处理液的液温的变化率，能够通过实验或者模拟来求取。然后，控制部18判断在步骤S504中计算出的一致度是否在阈值以上步骤S505。在步骤S505中，在判断为一致度在阈值以上的情况下步骤S505，是，控制部18判断为在晶片W的背面存在残留液步骤S506，使处理转移到步骤S106参照图6的报知处理。另一方面，在一致度不到阈值的情况下步骤S505，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S502，使处理转移到步骤S108的送出处理。如上所述，在第三变形例中，在进行干燥处理后，控制部18根据在将晶片W的位置固定的状态下由检测部100检测的处理液的形状的经时变化，判断在晶片W的背面有无处理液的残留液。由此，与第一变形例同样，能够判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W以外的部位的处理液。8.第四变形例假如，在晶片W的正面残存处理液的情况下，利用作为红外线传感器的检测部100，不仅能够检测附着于晶片W的背面的处理液，也检测附着于晶片W的正面的处理液。因此，也可以进行如下处理：判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W的表面的处理液。参照图12和图13，对这一点进行说明。图12是表示第四变形例的处理单元的构成的图。另外，图13是表示第四变形例的残留液判断处理的顺序的流程图。此外，在图12中，省略表示腔室20、保持部31、处理流体供给部40、回收杯50等。另外，图13所示的一系列的处理例如在图6所示的步骤S105中进行。如图12所示，第四变形例的处理单元16A还包括拍摄部150。拍摄部150例如是CCDChargeCoupledDevice照相机。拍摄部150在腔室20内中，配置于比保持在保持部31的晶片W靠上方处。另外，拍摄部150将检测部100中的对象区域即包含晶片W的中心的区域作为对象区域。拍摄部150拍摄存在于对象区域内的处理液，将作为拍摄结果的拍摄图像输出到控制部18。如图13所示，控制部18首先判断是否由检测部100检测到处理液步骤S601。在步骤S601中，在未检测到处理液的情况下步骤S601，否，控制部18判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S602。另一方面，在步骤S601中，在判断为由检测部100检测到处理液的情况下步骤S601，是，控制部18判断是否由拍摄部150拍摄到处理液步骤S603。在此，检测部100能够检测附着于晶片W的正面的处理液和附着于背面的处理液这两者，与之相对，拍摄部150仅能够检测附着于晶片W的正面的处理液。因此，可知在由检测部100检测到处理液且由拍摄部150没有拍摄到处理液的情况下，由检测部100检测到的处理液不是附着于晶片W的正面的处理液。在步骤S603中判断为由拍摄部150未拍摄到处理液的情况下步骤S603，是，控制部18判断为在晶片W的背面存在残留液步骤S604，使处理转移到步骤S106参照图6的报知处理。另一方面，在判断为由拍摄部150拍摄到处理液的情况下步骤S603，否，判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S602，使处理转移到步骤S108的送出处理。如上所述，在第四变形例中，控制部18根据检测部100的检测结果和拍摄部150的拍摄结果，判断在晶片W的背面有无处理液的残留液。由此，能够判别由检测部100检测到的处理液是附着于晶片W的背面的处理液还是附着于晶片W的表面的处理液。此外，在此，在步骤S603中，在判断由拍摄部150拍摄到处理液的情况下步骤S603，否，判断为在晶片W的背面没有残留液步骤S602。但是，实际上，也能够认为在晶片W的正面和背面这两面产生了残留液。因此，控制部18在步骤S604中也可以进行与步骤S106参照图6相同的报知处理。由此，例如，操作者通过目视确认晶片W的正面和背面，从而在晶片W被送到下一工序之前，能够判断在晶片W的背面是否存在残留液。9.其他的变形例在上述的实施方式中，作为检测部100列举红外线传感器为例进行了说明，但是检测部100只要是通过接收能够透过硅晶片即晶片W的波长的电磁波来检测附着于晶片W的背面的处理液的装置即可，并不一定为红外线传感器。另外，在上述的实施方式中，对将检测部100配置在晶片W的上方的情况的例子进行了说明，但是，检测部100也可以配置在晶片W的下方。在该情况下，检测部100也可以使用CCD照相机等拍摄部。另外，在上述的实施方式中，对检测部100将晶片W的面内的一部分区域作为对象区域的情况的例子进行了说明，但是，检测部100也可以将晶片W的整个面作为为对象区域。另外，在上述的实施方式中，对检测包含晶片W的中心的对象区域内的处理液的情况的例子进行了说明，但是，也可以为对象区域并不一定包含晶片W的中心。例如，也可以为检测部100将包含晶片W的外周部的区域作为对象区域。进一步的效果和变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更广泛的方式不限于以上那样表示且记载的特定的详细内容和代表性的实施方式。所以，不脱离所附的权利要求的范围及其等同物所定义的总括性的发明概念的精神或范围，能够进行各种改变。

权利要求：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：用于保持基片并使其旋转的保持部；用于向所述基片的背面排出处理液的喷嘴；用于测量对象区域内的物体的温度的检测部；和控制部，其能够控制所述保持部，在进行了干燥处理后，根据所述检测部的检测结果，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液，其中所述干燥处理使所述基片旋转以从该基片甩去所述处理液来使所述基片干燥。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述检测部配置于比所述基片靠上方处，接收能够透过所述基片的波长的电磁波来检测附着于所述基片的背面的所述处理液。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述检测部是红外线传感器。4.如权利要求1～3的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述检测部检测包含所述基片的中心的所述对象区域内的所述处理液。5.如权利要求2～4的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括用于推升所述基片的推升销，所述控制部在进行了所述干燥处理后，根据在使用所述推升销推升了所述基片的情况下由所述检测部检测的所述处理液的形状的变化，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液。6.如权利要求2～4的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在进行了所述干燥处理后，根据在控制所述保持部使所述基片旋转的情况下由所述检测部检测的所述处理液的形状的变化，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液。7.如权利要求2～4的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在进行了所述干燥处理后，根据在将所述基片的位置固定的状态下由所述检测部检测的所述处理液的形状的经时变化，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液的有无。8.如权利要求2～7的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：还包括配置于比所述基片相靠上方处的拍摄部，其用于拍摄所述基片的正面，所述控制部根据所述检测部的检测结果和所述拍摄部的拍摄结果，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液。9.如权利要求1～8的任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部在判断为在所述基片的背面存在所述处理液的残留液的情况下，进行恢复用冲洗处理和恢复用干燥处理，其中，所述恢复用冲洗处理从所述喷嘴向所述基片的背面排出冲洗液，所述恢复用干燥处理在所述恢复用冲洗处理后，控制所述保持部，使所述基片旋转以从该基片甩去所述冲洗液来使该基片干燥。10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部根据由所述检测部检测到的所述处理液的大小，调节在所述恢复用冲洗处理中从所述喷嘴向所述基片的背面排出所述冲洗液的时间。11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：向基片的背面排出处理液的排出步骤；干燥步骤，其在所述排出步骤后，使所述基片旋转以从该基片甩去所述冲洗液来使该基片干燥；和判断步骤，其在所述干燥步骤后，根据用于测量对象区域内的物体的温度的检测部的检测结果，判断在所述基片的背面有无所述处理液的残留液。12.一种计算机可读存储介质，其存储有在计算机上运行的控制基片处理装置的程序，所述计算机可读存储介质的特征在于：所述程序在执行时使计算机控制所述基片处理装置，来实施权利要求11所述的基片处理方法。

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